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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119430428A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411592249.6
申请日：2024-11-08
Applicant: 湖南大学
IPC: C02F1/58
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼改性铜铁氧体活化高碘酸盐去除水体中土霉素的方法。所述催化材料以铜铁氧体为主体材料，氮化硼作为修饰材料，其中氮化硼与铜铁氧体的质量比为1：5～20。本发明所采用的催化材料通过表面载体作用和界面Fe‑N键的形成，促进电荷的转移，从而实现优异的土霉素去除性能。本发明所述的氮化硼改性铜铁氧体活化高碘酸盐去除水体中土霉素的方法具有成本低，操作简单，催化性能稳定、适用pH范围广、抗干扰能力强、对土霉素去除效率高等优点，对于土霉素废水处理有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115180679B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210806432.6
申请日：2022-07-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料灭活水体中细菌的方法。所述复合光催化材料是以氧化钼为主体材料，硫掺杂氮化碳作为修饰材料，所述硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料中氧化钼与硫掺杂氮化碳的质量比为10：0.5～3。本发明所采用的复合光催化材料通过表面缺陷密度的可控调节和界面Mo‑N键的形成，促进电荷的转移，从而实现优异的细菌灭活性能。本发明采用的硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料具有成本低，操作简单，光催化性能稳定、适用pH范围广，对细菌灭活效率高等优点，是一种杀菌性能高、重复利用性好的新型可见光复合光催化材料，对于光催化水消毒有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115180679A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210806432.6
申请日：2022-07-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料灭活水体中细菌的方法。所述复合光催化材料是以氧化钼为主体材料，硫掺杂氮化碳作为修饰材料，所述硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料中氧化钼与硫掺杂氮化碳的质量比为10：0.5～3。本发明所采用的复合光催化材料通过表面缺陷密度的可控调节和界面Mo‑N键的形成，促进电荷的转移，从而实现优异的细菌灭活性能。本发明采用的硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料具有成本低，操作简单，光催化性能稳定、适用pH范围广，对细菌灭活效率高等优点，是一种杀菌性能高、重复利用性好的新型可见光复合光催化材料，对于光催化水消毒有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115178286A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210806433.0
申请日：2022-07-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调缺陷密度的硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料及其制备方法。所述复合光催化材料以氧化钼为主体材料，硫掺杂氮化碳作为修饰材料，其中氧化钼与硫掺杂氮化碳的质量比为10：0.5～3。本发明所提供的复合光催化材料可通过调节复合材料中硫掺杂氮化碳与氧化钼的比例，实现表面缺陷密度的可控调节，从而保证复合材料中保留适当的氧空缺。同时形成的界面共价Mo(δ+)‑N(δ‑)化学键，可以作为异质结界面电荷转移通道，进一步加速电荷的迁移，实现优异的光催化性能。本发明制备方法具有反应条件温和、工艺流程简单、操作条件易控、原料简单易得、绿色环保等优点，适合于大规模制备。
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公开(公告)号：CN115178286B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210806433.0
申请日：2022-07-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调缺陷密度的硫掺杂氮化碳改性氧化钼复合光催化材料及其制备方法。所述复合光催化材料以氧化钼为主体材料，硫掺杂氮化碳作为修饰材料，其中氧化钼与硫掺杂氮化碳的质量比为10：0.5～3。本发明所提供的复合光催化材料可通过调节复合材料中硫掺杂氮化碳与氧化钼的比例，实现表面缺陷密度的可控调节，从而保证复合材料中保留适当的氧空缺。同时形成的界面共价Mo(δ+)‑N(δ‑)化学键，可以作为异质结界面电荷转移通道，进一步加速电荷的迁移，实现优异的光催化性能。本发明制备方法具有反应条件温和、工艺流程简单、操作条件易控、原料简单易得、绿色环保等优点，适合于大规模制备。
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