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发明公开
纳米磨削含缺陷的碳化硅的仿真方法和装置审中-实审

公开(公告)号：CN115048849A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210665174.4

申请日：2022-06-13

申请人： 湖南大学

发明人： 刘坚 , 艾天成 , 尹韶辉 , 李蓉

IPC分类号： G06F30/25 , G06F30/20 , G06F119/14

摘要： 本发明公开了一种纳米磨削含缺陷的碳化硅的仿真方法、装置、计算设备及存储介质，纳米磨削含缺陷的碳化硅的仿真方法在计算设备中执行，该方法包括：构建分子动力学模型，分子动力学模型包括含缺陷的碳化硅工件模型和用于对工件模型进行磨削的刀具模型；确定分子动力学模型的仿真参数；根据仿真参数，利用刀具模型对含缺陷的碳化硅工件模型进行磨削仿真，以得到仿真结果。该方法通过构建分子动力学模型来对含缺陷的碳化硅的纳米磨削机理进行研究，基于分子动力学思想，建立了合适的碳化硅纳米磨削仿真模型，具有成本低、参数可调控、柔性高等优势。