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公开(公告)号:CN118448492A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410596121.0
申请日:2024-05-14
申请人: 湖南理工学院
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明涉及半导体光电子器件领域,提供一种光电探测器及其制备方法,其中光电探测器包括依次排列的衬底层、缓冲层、超晶格层以及叉指电极层;其中超晶格层由若干个纳米筒组成,纳米筒形成谐振腔;超晶格层与叉指电极层之间形成肖特基接触。用以解决现有技术中的光电探测器在深紫外窄带波段探测响应度不高、外量子效率较低的缺陷,可以通过纳米筒的腔体谐振特性,以及更大的光敏面积的优势,提升对特定波长的紫外光吸收能力,进而提升器件的响应度和外量子效率。