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公开(公告)号：CN109137064A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811032155.8
申请日：2018-09-05
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司 , 山西中电科新能源技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种双电源控制多晶铸锭化料工艺，采用开笼半熔工艺对硅料进行熔化，在熔化的不同阶段，控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n由0.3逐步向3.0调节，n=P1/P2，其中P1为顶部加热器的输出功率，P2为侧部加热器的输出功率。本发明双电源控制多晶铸锭化料工艺具有化料过程可控、安全性高、化料成本低廉、化料效率高等优点，适合于大规模制备，利于工业化生产，且相比常规化料工艺，本发明化料工艺所得籽晶层没有完全熔化，剩余籽晶层保留界面平坦，能够获得更大的籽晶保留面积。
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公开(公告)号：CN109056062A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810876213.9
申请日：2018-08-03
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸造单晶硅的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在石英坩埚底部中心放置一块单晶硅籽晶，装入硅原料和母合金；对石英坩埚进行加热，使硅原料和母合金完全熔化，单晶硅籽晶部分熔化，进入长晶阶段；控制硅熔体的横向温度梯度和纵向温度梯度，使晶体从单晶硅籽晶和硅熔体的接触面向四周及向上生长，得到铸造单晶硅锭。本发明制备方法具有工艺简单、易操作、成本低廉、单晶硅籽晶用量小、单晶率高、位错率低等优点，适合于大规模制备，利用工业化生产，有着很好的应用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN110938866A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811119620.1
申请日：2018-09-25
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、隔热笼、隔热底板、隔热顶板、侧加热器、坩埚和热交换台，炉体内底壁上设有石墨立柱，隔热底板支撑于石墨立柱上，炉体内顶壁设有铜电极，隔热顶板悬挂于铜电极上，隔热笼设于隔热底板与隔热顶板之间，且三者形成加热腔室，石墨立柱顶端穿过隔热底板位于加热腔室内，热交换台安装于石墨立柱顶端，坩埚位于热交换台上，侧加热器位于坩埚的侧壁外，两端分别通过角接器安装在铜电极上，角接器沿竖直方向设有至少两列安装孔，安装孔用于安装侧加热器，每列安装孔从上至少设置多个以使侧部加热器的高度可调节。本发明具有侧部加热器可以沿着铸锭炉内坩埚的高度方向调节，可满足全熔和半熔铸锭工艺切换的优点。
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公开(公告)号：CN110438566A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910735093.5
申请日：2019-08-09
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料，其中混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10-8～1.1×10-6︰6.4×10-10～3.1×10-6︰2.0×10-9～4.2×10-5；所得混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。多掺杂硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述多掺杂硅锭制得。本发明制备方法制得的多掺杂硅锭，硼溶度较低，具有电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，由此制备的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN107805843A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711237496.4
申请日：2017-11-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体以及设于炉体内的石墨立柱、中心热偶和溢流隔离装置，所述溢流隔离装置包括连续型溢流棉和圆台形的隔离本体，所述隔离本体底面与所述炉体的下炉腔内壁紧密贴合，所述隔离本体的顶面具有贯穿隔离本体且竖直向上延伸的第一圆筒和第二圆筒，所述第一圆筒包裹于石墨立柱外，所述第二圆筒包裹于中心热偶外，所述连续型溢流棉覆盖于隔离本体顶面和侧面并延伸至下炉腔内壁上。本发明全面阻碍了液态硅料与下炉腔内壁的接触可能性，避免液态硅料直接接触到炉体而引起炉体爆炸情况。
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公开(公告)号：CN110438565A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910735850.9
申请日：2019-08-09
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，所得装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。掺镓硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述掺镓硅锭制得。本发明制备方法能够实现掺镓过程以及掺镓含量的有效、精确控制，具有操作方便、易于控制、掺镓量精确度高等优点，由此制得的掺镓硅锭具有纵向电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，且进一步制成的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN109097829A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810876130.X
申请日：2018-08-03
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸造单晶硅用隔热底板、铸造单晶硅生长设备和铸造单晶硅的制备方法，该隔热底板包括隔热板基板和设于隔热板基板上的活动式隔热板。铸造单晶硅生长设备包括上述隔热底板。铸造单晶硅的制备方法利用铸造单晶硅生长设备制备铸造单晶硅。本发明铸造单晶硅用隔热底板具有操作简单、可控性强等优点，能够实现对温度的有效控制。本发明铸造单晶硅生长设备具有操作简单、热场均匀性可控、长晶质量可控等优点。本发明制备方法具有工艺简单、易操作、成本低廉、单晶硅籽晶用量小、单晶率高、位错率低等优点，适合于大规模制备，利用工业化生产，有着很好的应用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN106048717A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610571965.5
申请日：2016-07-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭用坩埚盖板，包括盖板本体，所述盖板本体的侧面与所述盖板本体的上表面之间设有第一过渡圆弧面，所述侧面与所述盖板本体的下表面之间设有第二过渡圆弧面，本发明具有结构简单、抗热冲击能力强、使用寿命长、保证产品质量的优点。
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公开(公告)号：CN109112619A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710492914.8
申请日：2017-06-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种坩埚保护装置，包括坩埚底板、设于坩埚底板上的组合护板以及设于组合护板上部的坩埚盖板，所述组合护板包括下层护板及上层护板，所述下层护板上部设有出气口，所述上层护板上部设有所述出气口，所述上层护板下部设有下凸部，所述上层护板的下凸部卡设于所述下层护板的出气口内。本发明具有结构可靠、使用方便、能够根据坩埚高度灵活调整、有利于降低生产成本等优点。
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