公开(公告)号：CN112395823B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202011286350.0

申请日：2020-11-17

申请人： 湘潭大学 ,  西北核技术研究所

发明人： 王定洪 ,  丁李利 ,  陈伟 ,  罗尹虹 ,  王坦 ,  张凤祁 ,  徐静妍 ,  钟向丽

IPC分类号： G06F30/398 ,  H01L27/02 ,  G06F119/02

摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。

公开(公告)号：CN112395823A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011286350.0

申请日：2020-11-17

申请人： 湘潭大学 ,  西北核技术研究所

发明人： 王定洪 ,  丁李利 ,  陈伟 ,  罗尹虹 ,  王坦 ,  张凤祁 ,  徐静妍 ,  钟向丽

IPC分类号： G06F30/398 ,  H01L27/02 ,  G06F119/02

摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。

公开(公告)号：CN115600473A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211380003.3

申请日：2022-11-04

申请人： 西北核技术研究所(CN)

发明人： 赵雯 ,  陈伟 ,  罗尹虹 ,  郭晓强 ,  丁李利 ,  张凤祁 ,  王坦 ,  江新帅 ,  徐静妍

IPC分类号： G06F30/25 ,  G06F119/02

摘要： 本发明涉及空间辐射效应及加固技术领域，具体涉及一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法，用于解决现有针对单粒子翻转再恢复的数值仿真未考虑周围存储单元的耦合作用，无法准确预测翻转再恢复对多单元翻转的影响，以及由于单粒子翻转再恢复在存储阵列中的发生位置是随机的，同时其过程持续时间很短，响应过程难以通过实验直接获取的不足之处。该实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法将实验和仿真有机结合，实现重离子宽束实验、重离子微束实验和数值仿真的优势互补，可更全面细致地揭示单粒子翻转再恢复的产生机理和影响因素。