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公开(公告)号：CN106876571A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611237259.3
申请日：2016-12-28
申请人： 滁州玛特智能新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种量子阱厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，在氧化铝纳米孔内定向生长热电材料。热电材料从纳米孔的内壁开始生长，然后向纳米孔的轴线方向逐层生长，形成厚膜超晶格热电材料。纳米孔模板材料可以为Al2O3、TiO2或者SiO2，基础热电材料为Bi2Te3。本发明利用原子层沉积技术，以超高高宽比多孔氧化铝模板为基体，经由化学的方法快速合成Bi2Te3超晶格厚膜热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。所述厚膜热电超晶格材料可以在非高真空的条件下，快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格微结构，而且性能远优于现有的技术报道。
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公开(公告)号：CN106784287A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611237321.9
申请日：2016-12-28
申请人： 滁州玛特智能新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高温量子阱厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，在多孔硅，多孔氧化铝或掺杂的硅基板上生长热电材料。热电材料可以从孔的内壁开始生长，然后向孔的中心径向逐层生长，从而生成厚膜超晶格热电材料。基础热电材料为SiGe。本发明利用原子层沉积技术，以多孔模板为基体，经由化学的方法快速合成适于高温应用的超晶格热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。高温热电材料可以在掺杂的或可弯曲的导电基板上，并在非高真空的条件下快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格结构，尤其适用于高温，即使用温度范围700‑1100度。
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公开(公告)号：CN106935699A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611237322.3
申请日：2016-12-28
申请人： 滁州玛特智能新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种中温厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，沿氧化铝纳米孔径向生长热电材料。热电材料从纳米孔的内壁共形覆膜开始生长，然后向纳米孔的中心径向逐层生长，形成厚膜超晶格热电材料。基础热电材料可以为PbTe或者PbSe或者PbTe/PbSe。本发明利用原子层沉积技术，以超高高宽比多孔氧化铝模板为基体，经由化学的方法快速合成中温量子阱厚膜超晶格热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。中温量子阱厚膜超晶格热电材料可以在非高真空的条件下快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格微结构，尤其适用于中温，即使用温度范围400‑700度。
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