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公开(公告)号：CN109574491B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN109574491A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN112824943B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201911140954.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036
Abstract: 本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤，涉及耐辐射光纤领域，该光纤由内至外依次包括：纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层；其中，所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料；所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗，并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外，本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85％、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性，可以克服传统光纤在热核辐射环境下易大幅产生辐致损耗的缺点。
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公开(公告)号：CN111517634A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010286507.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种提高PCVD原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用，涉及光纤预制棒生产技术领域。该系统包括衬管、微波发生器和内设测温探头的保温炉；其中，保温炉沿衬管的轴向方向依次设有气端、中间端和泵端区域；微波发生器在各区域的预设输出功率相同；该系统还包括PLC控制单元，其被配置为，根据测温探头反馈的实时位置的设定温度，确定气端区域终止位置或中间端区域起始位置、中间端区域终止位置或泵端区域起始位置，并在气端区域起始位置、泵端区域起始位置改变微波发生器的实际输出功率，且在气端区域和泵端区域维持改变的实际输出功率恒定。本发明操作简单，自动化作业程度高，实现了衬管沉积段整体沉积的均匀性，且有效降低了制棒成本。
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公开(公告)号：CN106154410A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610778208.5
申请日：2016-08-30
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/03627 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种单模光纤及其制造方法，单模光纤的裸光纤由内至外依次为纤芯层、内包层和外包层，纤芯层和内包层材质均为掺锗和掺氟的石英玻璃，外包层的材质为掺氟的石英玻璃，外包层采用MCVD工艺制作，纤芯层和内包层均采用PCVD沉积法制作。本发明，通过在少量掺锗的纤芯层中精确掺杂氟，以确保纤芯层与包层粘度匹配，从而降低纤芯层与包层间的应力，而且由于结构类似常规单模光纤，可以替代常规单模光纤进行长距离传输，因此可以在降低光纤损耗的同时，实现与常规单模光纤的良好兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111458788B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010247467.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/014 , C03B37/018
Abstract: 本发明提供了一种超强抗弯耐辐照光纤，涉及光纤生产技术领域。该光纤包括由内至外依次排列的芯层(1)、内包层和外包层(4)，所述芯层(1)、内包层和外包层(4)的材质均为石英，所述内包层包括由内至外依次排列的第一掺氟内包层(2)和第二掺氟内包层(3)；其中，所述芯层(1)中掺杂有氮元素。本发明还提供了一种超强抗弯耐辐照光纤的制备方法，其制备工艺灵活，适应性强，制备的耐辐照光纤在弯曲状态下的附加损耗大幅降低，且抗弯曲性能较强。
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公开(公告)号：CN112824943A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911140954.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036
Abstract: 本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤，涉及耐辐射光纤领域，该光纤由内至外依次包括：纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层；其中，所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料；所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗，并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外，本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85％、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性，可以克服传统光纤在热核辐射环境下易大幅产生辐致损耗的缺点。
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公开(公告)号：CN111458788A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010247467.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/014 , C03B37/018
Abstract: 本发明提供了一种超强抗弯耐辐照光纤，涉及光纤生产技术领域。该光纤包括由内至外依次排列的芯层(1)、内包层和外包层(4)，所述芯层(1)、内包层和外包层(4)的材质均为石英，所述内包层包括由内至外依次排列的第一掺氟内包层(2)和第二掺氟内包层(3)；其中，所述芯层(1)中掺杂有氮元素。本发明还提供了一种超强抗弯耐辐照光纤的制备方法，其制备工艺灵活，适应性强，制备的耐辐照光纤在弯曲状态下的附加损耗大幅降低，且抗弯曲性能较强。
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公开(公告)号：CN110109219A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910309493.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低串扰弱耦合空分复用光纤，涉及通信光纤领域，其包括多芯光纤包层；其中，所述多芯光纤包层中包含多个按照六方排布或其它轴对称方式排布的少模纤芯，所述少模纤芯的数量不低于3个；所述少模纤芯自内而外依次包括少模芯区、内包层和下陷包层。该空分复用光纤采用弱耦合少模光纤芯区和低串扰多芯光纤结构，使得整个光纤内部芯区之间和芯区内模式之间的信道完全分离，在输入和输出端配合复用/解复用技术完成链路通信传输，由此有效增加了光纤整体的传输容量且传输品质高。
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公开(公告)号：CN108469648A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810453514.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤及制造方法，其裸光纤由内到外依次包括芯层和包层，所述芯层包括由内而外依次设置的内芯层和外芯层，所述内芯层的半径R1为1.5～3μm，所述内芯层的相对折射率差Δ1为-0.01％≤Δ1≤0，所述外芯层的半径R2为5～6μm，所述外芯层的相对折射率差Δ2为0≤Δ2≤0.05％；所述芯层几乎不掺锗，所述芯层为氟与碱金属氧化物共掺的二氧化硅玻璃层；所述包层包括由内而外依次设置的下陷包层和外包层，所述下陷包层的半径R3为40～50μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3为-0.25％≤Δ3≤-0.15％，所述下陷包层半径R3与所述外芯层半径R2的比例R3/R2≥8，所述外包层半径R4为62.5μm，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明能够降低衰减系数，增大有效面积。
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