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公开(公告)号：CN115047559B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210679791.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司 , 烽火海洋网络设备有限公司
Abstract: 本申请涉及一种多波段衰减平坦光纤，其包括沿径向由内到外依次布置的中心渐变芯层、平坦芯层、过渡芯层、平坦抑制包层和石英包层；中心渐变芯层的折射率小于平坦芯层的折射率，平坦芯层的折射率大于过渡芯层的折射率，过渡芯层的折射率大于平坦抑制包层的折射率；沿径向由内到外，中心渐变芯层的相对折射率差呈第一多项式线形增加，过渡芯层的相对折射率差呈第二多项式线形下降；中心渐变芯层、平坦芯层和平坦抑制包层均掺杂有锗，或者中心渐变芯层和平坦抑制包层均掺杂有氟。本申请可以解决相关技术中多波段衰减平坦度较大的问题。
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公开(公告)号：CN103364870B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310343050.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种单模光纤及其制造方法，单模光纤的裸光纤由内至外依次为芯层、第一内包层和第二内包层，所述芯层的折射率大于所述第一内包层，所述第一内包层的折射率大于所述第二内包层。本发明提供的方法，利用等离子体化学气相沉积工艺精确的剖面控制能力，直接设计匹配的包层剖面结构，拉锥过程中包层无需再次扩散，既保证了光纤剖面结构的完整性，同时极大的降低了因扩散不均匀带来的额外附加损耗，极大的提高了光纤的性能。该单模光纤在制作980nm/1550nm双窗口光纤耦合器时，980nm波长的隔离度可达到20dB以上，1550nm波长的隔离度可达到25dB以上。该单模光纤制造工艺简单，生产成本低，可适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN110357410B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910507965.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/014 , C03B37/025 , C03B37/028
Abstract: 本发明公开了一种用于制造超低衰减光纤的光纤预制棒、方法及光纤，该光纤预制棒包括芯棒和套设在所述芯棒外的套管；所述芯棒包括由内到外依次布置的掺钾芯层和钾氟共掺芯层；所述套管包括由内到外依次布置的内套管和外套管，所述内套管包括由内到外依次布置的深掺氟层和浅掺氟层；所述芯棒与所述内套管之间的间隙形成第一空间。本发明能够解决超低衰减光纤面临的高界面应力引起的衰减，实现超低衰减光纤的制造。
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公开(公告)号：CN110221382A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910507964.8
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了超低衰减大有效面积的单模光纤，包括由内而外依次布置的芯层、第一包层、第二包层、第三包层和第四包层；第一包层采用掺氟石英；第二包层、第三包层和第四包层采用石英；第三包层上设有由内而外依次布置的至少一层环形微孔层，环形微孔层包括均匀分布的多个微孔，每一环形微孔层中的各微孔的圆心共圆且该圆与芯层同心；芯层采用掺杂有碱金属的石英，芯层包括由内而外依次布置的内芯层和过渡芯层；过渡芯层与第四包层的相对折射率差△n11满足 其中，a为过渡芯层的过度系数，x为过渡芯层内任一点到内芯层边缘的距离。本发明不仅具有超低衰减大有效面积的特性，还可以实现大模场光纤传输，降低大容量传输时的非线性效应。
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公开(公告)号：CN115047559A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210679791.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司 , 烽火海洋网络设备有限公司
Abstract: 本申请涉及一种多波段衰减平坦光纤，其包括沿径向由内到外依次布置的中心渐变芯层、平坦芯层、过渡芯层、平坦抑制包层和石英包层；中心渐变芯层的折射率小于平坦芯层的折射率，平坦芯层的折射率大于过渡芯层的折射率，过渡芯层的折射率大于平坦抑制包层的折射率；沿径向由内到外，中心渐变芯层的相对折射率差呈第一多项式线形增加，过渡芯层的相对折射率差呈第二多项式线形下降；中心渐变芯层、平坦芯层和平坦抑制包层均掺杂有锗，或者中心渐变芯层和平坦抑制包层均掺杂有氟。本申请可以解决相关技术中多波段衰减平坦度较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114966959A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210681648.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种细径单模光纤，包括沿径向由内到外依次设置的掺锗芯层、第一过渡包层、第二过渡包层和外石英包层；所述第一过渡包层的折射率小于掺锗芯层的折射率，且大于第二过渡包层的折射率；沿径向由内到外，所述第一过渡包层的相对折射率差呈第一多项式线形下降，所述第二过渡包层的相对折射率差呈第二多项式线形下降。在掺锗芯层的周围设计了相对折射率差呈第一多项式线形下降的第一过渡包层和相对折射率差呈第二多项式线形下降的第二过渡包层，从而形成双平滑过渡包层的波导结构，加强细径光纤抵抗外界的干扰能力，并实现掺锗芯层与外石英包层之间的平滑过渡，减少芯包间应力，降低光纤内部因应力造成的微裂纹，从而提升其长期可靠性。
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公开(公告)号：CN103472529A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310409732.1
申请日：2013-09-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B2203/22
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该低损耗光纤包括阶跃形波导，阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层，芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成，芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0～0.1%；深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成，深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%～0.28%；芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布，应力系数的绝对值范围在0.005～0.015之间；基点温度从900℃～950℃逐渐上升到1150℃～1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。
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公开(公告)号：CN114966959B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210681648.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种细径单模光纤，包括沿径向由内到外依次设置的掺锗芯层、第一过渡包层、第二过渡包层和外石英包层；所述第一过渡包层的折射率小于掺锗芯层的折射率，且大于第二过渡包层的折射率；沿径向由内到外，所述第一过渡包层的相对折射率差呈第一多项式线形下降，所述第二过渡包层的相对折射率差呈第二多项式线形下降。在掺锗芯层的周围设计了相对折射率差呈第一多项式线形下降的第一过渡包层和相对折射率差呈第二多项式线形下降的第二过渡包层，从而形成双平滑过渡包层的波导结构，加强细径光纤抵抗外界的干扰能力，并实现掺锗芯层与外石英包层之间的平滑过渡，减少芯包间应力，降低光纤内部因应力造成的微裂纹，从而提升其长期可靠性。
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公开(公告)号：CN110221382B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910507964.8
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了超低衰减大有效面积的单模光纤，包括由内而外依次布置的芯层、第一包层、第二包层、第三包层和第四包层；第一包层采用掺氟石英；第二包层、第三包层和第四包层采用石英；第三包层上设有由内而外依次布置的至少一层环形微孔层，环形微孔层包括均匀分布的多个微孔，每一环形微孔层中的各微孔的圆心共圆且该圆与芯层同心；芯层采用掺杂有碱金属的石英，芯层包括由内而外依次布置的内芯层和过渡芯层；过渡芯层与第四包层的相对折射率差△n11满足其中，a为过渡芯层的过度系数，x为过渡芯层内任一点到内芯层边缘的距离。本发明不仅具有超低衰减大有效面积的特性，还可以实现大模场光纤传输，降低大容量传输时的非线性效应。
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公开(公告)号：CN103364870A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310343050.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种单模光纤及其制造方法，单模光纤的裸光纤由内至外依次为芯层、第一内包层和第二内包层，所述芯层的折射率大于所述第一内包层，所述第一内包层的折射率大于所述第二内包层。本发明提供的方法，利用等离子体化学气相沉积工艺精确的剖面控制能力，直接设计匹配的包层剖面结构，拉锥过程中包层无需再次扩散，既保证了光纤剖面结构的完整性，同时极大的降低了因扩散不均匀带来的额外附加损耗，极大的提高了光纤的性能。该单模光纤在制作980nm/1550nm双窗口光纤耦合器时，980nm波长的隔离度可达到20dB以上，1550nm波长的隔离度可达到25dB以上。该单模光纤制造工艺简单，生产成本低，可适用于大规模生产。
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