公开(公告)号：CN1833320A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022501.4

申请日：2004-06-04

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋永广幸 ,  小野宽太 ,  尾岛正治 ,  谷内敏之

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/08

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/155 ,  G11C11/5607 ,  H01F41/308 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49069

Abstract: 由平板状强磁体构成，其平面部形状具有线对称轴的同时在与该线对称轴垂直的方向上非对称，在平行外部磁场堙没时显示环状单磁畴结构，通过这种结构的微小磁体和采用该微小磁体的MRAM或它们的制造方法，能够在纳米级的微小磁体上控制磁化方向，并可消除改写及写入次数的限制。