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公开(公告)号：CN104047020B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410318170.4
申请日：2014-07-03
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所
IPC: C25B11/04 , C25D9/02 , C02F1/461 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种钛基掺聚偏二氟乙烯二氧化铅阳极及其制备和应用。所述方法包括以下步骤：首先对钛基体表面处理，然后在钛基体表面涂覆含Sn、Sb元素的溶胶?凝胶，提升PbO2层和钛基体的结合，防止钛基体在电氧化过程中钝化，最后通过电沉积法将PVDF和Pb2+共沉积在SnO2?Sb2O5表面，得到钛基掺聚偏二氟乙烯二氧化铅阳极。本发明制备方法对设备要求低，制备工艺简单。本发明所得的电极表面颗粒均匀、致密，具有较长的电极寿命、机械强度高、抗腐蚀性能好，电氧化能力强；作为阳极处理难降解有机废水，降解效果良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108328703A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810102120.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所 , 深圳大学
IPC: C02F1/461 , C02F1/467 , C02F101/36 , C02F103/16
Abstract: 本发明公开了一种钛基二氧化钛纳米管沉积锡锑氟电极的制备及其对电镀铬废水中铬抑雾剂降解的应用。所述方法包括以下步骤：首先对钛基体表面处理，然后采用阳极氧化法在钛基体表面生长TiO2-NTs，形成Ti/TiO2-NTs；采用脉冲电沉积技术将锡锑氟沉积到二氧化钛纳米管中，得到钛基二氧化钛纳米管沉积锡锑氟电极。本发明制备方法对设备要求不高，制备电极的工艺流程简单。本发明所得的电极具有析氧电位高、寿命长、电化学氧化能力强、效率高等优点；作为阳极材料处理难降解有毒有害有机废水，降解效果良好。
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公开(公告)号：CN104404566B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410620906.3
申请日：2014-11-05
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所
Abstract: 本发明属于电极材料技术领域，具体涉及一种以修饰TiO2纳米管阵列为中间层的钛基二氧化铅阳极及其制备方法与应用。所述阳极的制备方法包括钛板的前处理、阳极氧化和煅烧得到Ti/TiO2纳米管阵列电极、AgNO3溶液中电沉积得到Ti/TiO2-NTs/Ag电极、阳极氧化得到Ti/TiO2-NTs/Ag2O电极、在含有Pb(NO3)2、HNO3和NaF的电解质溶液中电化学沉积得到Ti/TiO2-NTs/Ag2O/PbO2阳极。本发明通过在二氧化钛纳米管和PbO2间制备了Ag2O层，提高了电极的析氧电位，寿命和电化学氧化能力。
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公开(公告)号：CN108328703B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810102120.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所 , 深圳大学
IPC: C02F1/461 , C02F1/467 , C02F101/36 , C02F103/16
Abstract: 本发明公开了一种钛基二氧化钛纳米管沉积锡锑氟电极的制备及其对电镀铬废水中铬抑雾剂降解的应用。所述方法包括以下步骤：首先对钛基体表面处理，然后采用阳极氧化法在钛基体表面生长TiO2‑NTs，形成Ti/TiO2‑NTs；采用脉冲电沉积技术将锡锑氟沉积到二氧化钛纳米管中，得到钛基二氧化钛纳米管沉积锡锑氟电极。本发明制备方法对设备要求不高，制备电极的工艺流程简单。本发明所得的电极具有析氧电位高、寿命长、电化学氧化能力强、效率高等优点；作为阳极材料处理难降解有毒有害有机废水，降解效果良好。
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公开(公告)号：CN108609695A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810453729.2
申请日：2018-05-14
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所 , 深圳大学
Inventor： 虢清伟 , 卓琼芳 , 王金宝 , 易皓 , 王丽 , 崔恺 , 张政科 , 邴永鑫 , 常莎 , 胡立才 , 林超导 , 王骥 , 林健聪 , 陈鼎豪 , 陈尧 , 曾圣科 , 杨波
IPC: C02F1/461 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：首先制备晶体颗粒堆积紧密的BDD电极，然后将苯乙烯、苯酚、聚氧乙烯醚、SnCl2和NaF混合搅拌均匀，用水和乙醇溶解后，加入环六亚甲基四胺制备得到的前驱体混浊液，再将前驱体混浊液旋涂在BDD电极表面制备F和SnO2涂层，最后在一定的温度下煅烧得到BDD/SnO2-F电极。本发明所制得的氟锡修饰的BDD薄膜电极表面均匀、致密，具有较高的析氧电位、抗腐蚀性能好，电氧化能力强；作为阳极处理难降解有机废水，降解效果良好。
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公开(公告)号：CN108609695B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810453729.2
申请日：2018-05-14
Applicant: 环境保护部华南环境科学研究所 , 深圳大学
Inventor： 虢清伟 , 卓琼芳 , 王金宝 , 易皓 , 王丽 , 崔恺 , 张政科 , 邴永鑫 , 常莎 , 胡立才 , 林超导 , 王骥 , 林健聪 , 陈鼎豪 , 陈尧 , 曾圣科 , 杨波
IPC: C02F1/461 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：首先制备晶体颗粒堆积紧密的BDD电极，然后将苯乙烯、苯酚、聚氧乙烯醚、SnCl2和NaF混合搅拌均匀，用水和乙醇溶解后，加入环六亚甲基四胺制备得到的前驱体混浊液，再将前驱体混浊液旋涂在BDD电极表面制备F和SnO2涂层，最后在一定的温度下煅烧得到BDD/SnO2‑F电极。本发明所制得的氟锡修饰的BDD薄膜电极表面均匀、致密，具有较高的析氧电位、抗腐蚀性能好，电氧化能力强；作为阳极处理难降解有机废水，降解效果良好。
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