电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN118472112A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410628626.0

    申请日:2024-05-20

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本发明提供了一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法及太阳能电池,涉及光伏电池技术领域。上述处理方法通过对电镀沉积金属电极后的太阳能电池晶硅基片的侧面依次进行热退火和等离子轰击处理,从而使电镀时晶硅基片侧面生长的金属镀层脱落,避免了电池边缘漏电的问题。因此,本申请处理方法在处理过程中无需消耗任何化学产品就可将电镀沉积金属后晶硅基片侧面生长的金属镀层去除,有效缓解了现有太阳能电池边缘漏电的技术问题,相比于现有的化学腐蚀和侧面掩膜法,具有经济性强,环境友好的优势。

    一种TOPCon电池的化学去镍方法及TOPCon电池的制备方法

    公开(公告)号:CN118610300A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410712005.0

    申请日:2024-06-03

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/3213

    摘要: 本发明提供了一种TOPCon电池的化学去镍方法及TOPCon电池的制备方法,涉及太阳能电池的技术领域,所述化学去镍方法包括以下步骤:对TOPCon太阳能电池采用去镍剂进行化学去镍,其中,去镍剂中添加镍离子,所述化学去镍方法能够降低TOPCon太阳能电池在去镍过程中去镍剂对硅基的氧化,从而提升TOPCon太阳能电池片的光电转换效率和金属栅线电极的结合力,并且能够降低能量损耗,达到降本增效的目的。