公开(公告)号：CN118027840A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410233893.8

申请日：2017-04-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 米山裕之 ,  稻男洋一 ,  小桥力也

IPC分类号： C09J7/29 ,  C09J133/00

摘要： 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、并在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。

公开(公告)号：CN111279468B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880069262.X

申请日：2018-10-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 小桥力也 ,  稻男洋一

IPC分类号： H01L23/00 ,  B32B27/16 ,  C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。

公开(公告)号：CN113969114B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202111233131.0

申请日：2018-10-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 小桥力也 ,  稻男洋一

IPC分类号： B32B27/00 ,  C09J133/00

摘要： 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

公开(公告)号：CN111107994B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201880060878.0

申请日：2018-10-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 小桥力也 ,  稻男洋一

IPC分类号： B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该能量射线固化性成分(a0)与该非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，该能量射线固化性成分(a0)与该树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。

公开(公告)号：CN111093987A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060022.3

申请日：2018-10-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 小桥力也 ,  稻男洋一

IPC分类号： B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

公开(公告)号：CN106104760B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201580015032.1

申请日：2015-03-23

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 山本大辅 ,  米山裕之 ,  稻男洋一

IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

摘要： 本发明涉及保护膜形成膜(1)及保护膜形成用片(2)、以及使用这些膜或片的工件或加工物的制造方法及检查方法、以及基于上述检查方法而被判断为良品的工件及加工物，其中，保护膜形成膜(1)含有填料，填料的平均粒径为0.4μm以下。根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用片，在进行基于激光照射的打印加工时可形成打印视觉辨认性优异的保护膜。

公开(公告)号：CN106463375B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580030575.0

申请日：2015-05-18

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  稻男洋一

IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

摘要： 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

公开(公告)号：CN109075046A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780025391.4

申请日：2017-04-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 稻男洋一 ,  佐藤明德

IPC分类号： H01L21/301

摘要： 本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。

公开(公告)号：CN108713248A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780014930.4

申请日：2017-04-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 古野健太 ,  稻男洋一

IPC分类号： H01L21/683 ,  C08J5/18 ,  C09D4/00 ,  C09D5/00 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： C08J5/18 ,  C09D4/00 ,  C09D5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供一种保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜同时满足以下条件：条件(1)：波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；条件(2)：波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。保护膜形成用复合片具备支撑片，并在支撑片上具备该保护膜形成用膜。

公开(公告)号：CN108604541A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780011114.8

申请日：2017-04-25

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 小桥力也 ,  稻男洋一 ,  山本大辅

IPC分类号： H01L21/301

摘要： 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。