公开(公告)号：CN111229184B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010061133.5

申请日：2020-01-19

申请人： 生态环境部华南环境科学研究所

发明人： 陈志航 ,  赵成 ,  胡晓玫 ,  刘承贤 ,  吴懿 ,  岑超平 ,  云军阁 ,  钟敏

IPC分类号： B01J20/28 ,  B01J20/18 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

摘要： 本发明公开了一种可控硅源修饰的介微双孔吸附剂及其制备方法和应用。本发明采用一种有机硅烷接枝的方法，合成了有机化度可控硅源，接着采用传统简单的水热合成法制备介微双孔吸附剂，其比表面积在500‑700cm3/g，极大的提升了吸附性能。本发明所述方法，在吸附剂硅铝骨架晶化的过程中，有机大分子随着硅源进入吸附剂晶体内部，由于空间位阻效应，阻碍了晶体的生长，在晶体内部形成许多缺陷，焙烧形成大量均匀的晶内介孔，所得吸附剂的介/微孔比例高达4:1，能解决一些低温、低浓度有机气体的传质与吸附问题。同时本发明也提供了一种调控多孔材料介孔率的方法，解决了有机分子的定向吸附问题。

公开(公告)号：CN111229184A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010061133.5

申请日：2020-01-19

申请人： 生态环境部华南环境科学研究所

发明人： 陈志航 ,  赵成 ,  胡晓玫 ,  刘承贤 ,  吴懿 ,  岑超平 ,  云军阁 ,  钟敏

IPC分类号： B01J20/28 ,  B01J20/18 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

摘要： 本发明公开了一种可控硅源修饰的介微双孔吸附剂及其制备方法和应用。本发明采用一种有机硅烷接枝的方法，合成了有机化度可控硅源，接着采用传统简单的水热合成法制备介微双孔吸附剂，其比表面积在500-700cm3/g，极大的提升了吸附性能。本发明所述方法，在吸附剂硅铝骨架晶化的过程中，有机大分子随着硅源进入吸附剂晶体内部，由于空间位阻效应，阻碍了晶体的生长，在晶体内部形成许多缺陷，焙烧形成大量均匀的晶内介孔，所得吸附剂的介/微孔比例高达4:1，能解决一些低温、低浓度有机气体的传质与吸附问题。同时本发明也提供了一种调控多孔材料介孔率的方法，解决了有机分子的定向吸附问题。