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发明公开
一种背部刻槽型间接加热GeTe薄膜相变开关审中-实审

公开(公告)号：CN116249439A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310227739.5

申请日：2023-03-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 高莉彬 , 付帅帅 , 曲胜 , 陈宏伟

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明提出一种背部刻槽型GeTe薄膜相变开关，包括：衬底(Si)，衬底隔离层(Si3N4)；加热层(W)；加热隔离层(Si3N4)；相变材料层(GeTe)；电极层(Au/Ti)；背面刻蚀的深槽。本发明在基片背面刻蚀深槽，使加热层的热量快速散去，使相变层降温的速度变快，相变材料发生相变过程更均匀，提高了器件可靠性和灵敏性。通过COMSOL仿真验证本发明结构可以降低相变材料达到熔点的温度值，背部刻槽结构拥有高的有效热传导效率，对于相变材料的熔点和临界阈值,相变材料的特性要求温度由熔点温度降至相变温度的时间越短越好。

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