公开(公告)号：CN116879833A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310828409.1

申请日：2023-07-07

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 蔡晶晶 ,  郭羿呈 ,  何明昊 ,  李鹏

IPC分类号： G01S3/14 ,  G06F17/16

摘要： 本发明公开了一种基于欠采样超表面阵列的信号频率和波达方向估计算法，主要解决超宽带信号条件下，频率和波达角度同时估计成本高且精度低的问题。其实现方案为：构建超表面阵列，并获取经过空时编码的接收信号；通过时间延迟通道对编码后的信号进行时延操作，并进行采样获取输出信号；根据编码后的信号构建方向向量矩阵；根据输出信号得到两个传播算子矩阵，由该传播算子矩阵获得频率求解矩阵；分解频率求解矩阵获取特征值，计算信号频率；将频率代入方向向量矩阵中获得角度求解矩阵，并对其进行特征值分解，利用特征值计算信号波达角度。本发明采样成本低、且能同时精确估计信号的频率和波达方向角，可用于超宽带信号侦察处理。

公开(公告)号：CN113871383B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202111119364.8

申请日：2021-09-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘继芝 ,  黄秋培 ,  何明昊 ,  郑童文 ,  王鑫 ,  刘志伟

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种反向二极管降低触发电压的改进型LVTSCR器件。该器件在传统LVTSCR器件的基础上，在和阳极连接的P型重掺杂区与跨接硅衬底和n型阱区的n型重掺杂区之间的硅表面上设有一个氧化层区；该氧化层区表面形成多晶硅层；该多晶硅层与在跨接的n型重掺杂区和与阴极连接的n型重掺杂区之间的硅表面上的另一个氧化层区之上的多晶硅层通过一个反向二极管相连。该结构与传统LVTSCR结构相比，通过增加两条新的电流通路，进一步降低触发电压，并且降低HBM电压波形的第二个峰的峰值电压，提高器件的鲁棒性。

公开(公告)号：CN113871383A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111119364.8

申请日：2021-09-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘继芝 ,  黄秋培 ,  何明昊 ,  郑童文 ,  王鑫 ,  刘志伟

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种反向二极管降低触发电压的改进型LVTSCR器件。该器件在传统LVTSCR器件的基础上，在和阳极连接的P型重掺杂区与跨接硅衬底和n型阱区的n型重掺杂区之间的硅表面上设有一个氧化层区；该氧化层区表面形成多晶硅层；该多晶硅层与在跨接的n型重掺杂区和与阴极连接的n型重掺杂区之间的硅表面上的另一个氧化层区之上的多晶硅层通过一个反向二极管相连。该结构与传统LVTSCR结构相比，通过增加两条新的电流通路，进一步降低触发电压，并且降低HBM电压波形的第二个峰的峰值电压，提高器件的鲁棒性。