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公开(公告)号：CN102034811A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010289473.X
申请日：2010-09-21
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间，且N阱二极管和NMOS组成SCR结构，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护。第二类器件集成了2个P阱二极管和2个PMOS，其中P阱二极管连接于I/O和VSS之间，PMOS连接于VSS和VDD之间，且P阱二极管和PMOS共同组成SCR结构，提供ND、NS模式和VDD-VSS之间的ESD防护。本发明在芯片正常工作时具有较高的维持电压，抗闩锁效应，而在发生ESD时的触发电压较低，触发速度较快；在提供多种模式的ESD保护功能和优异的ESD保护性能的同时，还能够有效降低保护器件所占用芯片的相对面积和减少寄生电容。
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公开(公告)号：CN101826523B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201019087049.4
申请日：2010-04-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD的触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。另外，通过栅控二极管的栅控偏置电压的改变可调制SCR ESD保护电路结构的触发电压；同时通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明适用于CMOS、BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN101826523A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201019087049.4
申请日：2010-04-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD的触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。另外，通过栅控二极管的栅控偏置电压的改变可调制SCR ESD保护电路结构的触发电压；同时通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明适用于CMOS、BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN102034811B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010289473.X
申请日：2010-09-21
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间，且N阱二极管和NMOS组成SCR结构，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护。第二类器件集成了2个P阱二极管和2个PMOS，其中P阱二极管连接于I/O和VSS之间，PMOS连接于VSS和VDD之间，且P阱二极管和PMOS共同组成SCR结构，提供ND、NS模式和VDD-VSS之间的ESD防护。本发明在芯片正常工作时具有较高的维持电压，抗闩锁效应，而在发生ESD时的触发电压较低，触发速度较快；在提供多种模式的ESD保护功能和优异的ESD保护性能的同时，还能够有效降低保护器件所占用芯片的相对面积和减少寄生电容。
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