公开(公告)号：CN110323207A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910561291.4

申请日：2019-06-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘继芝 ,  宋施雨 ,  侯飞 ,  黄美晨 ,  刘志伟

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L27/02

摘要： 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。

公开(公告)号：CN110323207B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910561291.4

申请日：2019-06-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘继芝 ,  宋施雨 ,  侯飞 ,  黄美晨 ,  刘志伟

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L27/02

摘要： 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。