公开(公告)号：CN108565533A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810017253.8

申请日：2018-01-09

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  张丽君 ,  赵圆圆 ,  陈良 ,  方建成 ,  刘水平 ,  肖宇 ,  杜凤媛 ,  谢海岩 ,  梁迪飞

IPC分类号： H01P1/207

CPC分类号： H01P1/207

摘要： 本发明涉及微波、滤波器技术，具体涉及到一种广义切比雪夫SIW滤波器的磁调谐方法。本发明是针对广义切比雪夫滤波器中的SIW腔体滤波器的调谐，在目标SIW腔体滤波器中耦合最强的区域，嵌入一个铁氧体圆柱，再对嵌入的铁氧体圆柱施加外加磁场，通过调节外加磁场的大小来改变耦合系数，最后导致结果的改变，实现磁调谐。本发明实现了对SIW腔体滤波器的磁调谐。

公开(公告)号：CN108539344B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201810262887.X

申请日：2018-03-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  张丽君 ,  陈良 ,  方建成 ,  刘水平 ,  肖宇 ,  杜凤媛 ,  谢海岩 ,  梁迪飞

IPC分类号： H01P3/18

摘要： 本发明涉及微波、传输线技术，具体涉及一种双C结构SIW传输线，具有高Q、低损、低泄露的特性。本发明将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。本发明通过采用双C结构替换传统SIW中的金属圆柱，在保证无TM模式下，克服了在传输过程中，传统SIW结构的两排金属圆柱使电磁波泄露出去，导致行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加电磁波的向外辐射大的技术问题。

公开(公告)号：CN108539344A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810262887.X

申请日：2018-03-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  张丽君 ,  陈良 ,  方建成 ,  刘水平 ,  肖宇 ,  杜凤媛 ,  谢海岩 ,  梁迪飞

IPC分类号： H01P3/18

摘要： 本发明涉及微波、传输线技术，具体涉及一种双C结构SIW传输线，具有高Q、低损、低泄露的特性。本发明将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。本发明通过采用双C结构替换传统SIW中的金属圆柱，在保证无TM模式下，克服了在传输过程中，传统SIW结构的两排金属圆柱使电磁波泄露出去，导致行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加电磁波的向外辐射大的技术问题。