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公开(公告)号：CN109065714B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810893394.6
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiOxNy∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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公开(公告)号：CN109037443B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810893392.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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公开(公告)号：CN109065715A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810929911.0
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑SiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层。同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN109065716B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810929912.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN109065715B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810929911.0
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑SiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层。同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108950507A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810931359.9
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑TiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑TiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层。同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN109065713B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810892819.1
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑Si∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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公开(公告)号：CN109065713A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810892819.1
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑Si∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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公开(公告)号：CN109037443A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810893392.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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公开(公告)号：CN109037442A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810893390.8
申请日：2018-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于a‑SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将K9玻璃棱镜与“顶电极/a‑SiOx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经K9玻璃棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
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