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公开(公告)号：CN108803761A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810659968.3
申请日：2018-06-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种含有高阶温度补偿的LDO电路，属于电子电路技术领域。包括启动电路、功率输出级、带隙‑误差放大器和自适应阻抗跟随器，启动电路用于控制系统的上电过程；带隙‑误差放大器在传统带隙放大器的基础上增加了温度补偿电路，不仅可以高效的降低静态电流，同时也对输出电压进行温度补偿，利用第三三极管在温度升高时产生高温补偿电流，电流流过第四电阻实现了对基准电压的高温补偿，限制基准电压的温度偏移；自适应阻抗跟随器在不同的输出负载电流下可以调整自己的输出电阻，在保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度，而且可以大大的降低片外电容值。本发明在低静态电流的情况下实现了环路稳定以及快速瞬态响应。
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公开(公告)号：CN108762363B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810659954.1
申请日：2018-06-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种推挽输出级的LDO电路，属于电子电路技术领域。本发明利用CLASS‑AB输出级的误差放大器同时驱动NMOS功率管和PMOS功率管形成推挽输出级的LDO，可以想负载灌入或吸收过大的电流，增强了对输出电压的控制调节能力，使输出更稳定；通过第三NMOS管、第三PMOS管和第一电容、第二电容构成传输门使系统的瞬态响应更迅速；利用电流减法电路降低了LDO电路的功耗，一些实施例中通过摆率增强电路使整体电路的瞬态响应更快；本发明提出的LDO在不同的工作状态下，LDO输出级的NMOS功率管和PMOS功率管导通情况不同，二者最多只有一个导通，空载时二者全部关断，使得输出及静态功耗非常低。本发明对输出电压控制能力强，输出稳定；同时具有瞬态响应快和功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN108549448B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810359693.1
申请日：2018-04-20
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种带瞬态增强的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。包括带隙基准模块，瞬态增强模块和缓启动模块，带隙基准模块为Brokaw型基准，可以通过第三电阻来抵消第二三极管和第三三极管基极电流带来的基准电压的误差；瞬态增强模块通过第二PMOS管和第三PMOS管与带隙基准模块中第二NMOS管形成动态电流偏置，优化了电路的瞬态响应；同时通过第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管形成的电流镜提供的动态电流，增加第一NMOS管栅极的瞬态充电电流；第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管也组成反馈环路，防止电源电压的大幅度跌落；缓启动模块通过第一开关、第二开关、第三开关和第一电容使第一PMOS管栅极电压缓慢上升，避免环路建立过程中电压和电流的过冲。
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公开(公告)号：CN108549448A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810359693.1
申请日：2018-04-20
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种带瞬态增强的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。包括带隙基准模块，瞬态增强模块和缓启动模块，带隙基准模块为Brokaw型基准，可以通过第三电阻来抵消第二三极管和第三三极管基极电流带来的基准电压的误差；瞬态增强模块通过第二PMOS管和第三PMOS管与带隙基准模块中第二NMOS管形成动态电流偏置，优化了电路的瞬态响应；同时通过第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管形成的电流镜提供的动态电流，增加第一NMOS管栅极的瞬态充电电流；第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管也组成反馈环路，防止电源电压的大幅度跌落；缓启动模块通过第一开关、第二开关、第三开关和第一电容使第一PMOS管栅极电压缓慢上升，避免环路建立过程中电压和电流的过冲。
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公开(公告)号：CN108803761B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810659968.3
申请日：2018-06-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种含有高阶温度补偿的LDO电路，属于电子电路技术领域。包括启动电路、功率输出级、带隙‑误差放大器和自适应阻抗跟随器，启动电路用于控制系统的上电过程；带隙‑误差放大器在在传统带隙放大器的基础上增加了温度补偿电路，不仅可以高效的降低静态电流，同时也对输出电压进行温度补偿，利用第三三极管在温度升高时产生高温补偿电流，电流流过第四电阻实现了对基准电压的高温补偿，限制基准电压的温度偏移；自适应阻抗跟随器在不同的输出负载电流下可以调整自己的输出电阻，在保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度，而且可以大大的降低片外电容值。本发明在低静态电流的情况下实现了环路稳定以及快速瞬态响应。
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公开(公告)号：CN108762363A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810659954.1
申请日：2018-06-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种推挽输出级的LDO电路，属于电子电路技术领域。本发明利用CLASS‑AB输出级的误差放大器同时驱动NMOS功率管和PMOS功率管形成推挽输出级的LDO，可以想负载灌入或吸收过大的电流，增强了对输出电压的控制调节能力，使输出更稳定；通过第三NMOS管、第三PMOS管和第一电容、第二电容构成传输门使系统的瞬态响应更迅速；利用电流减法电路降低了LDO电路的功耗，一些实施例中通过摆率增强电路使整体电路的瞬态响应更快；本发明提出的LDO在不同的工作状态下，LDO输出级的NMOS功率管和PMOS功率管导通情况不同，二者最多只有一个导通，空载时二者全部关断，使得输出及静态功耗非常低。本发明对输出电压控制能力强，输出稳定；同时具有瞬态响应快和功耗低的特点。
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