公开(公告)号：CN107171047A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710302990.8

申请日：2017-05-03

申请人： 电子科技大学

发明人： 张继华 ,  郑懿 ,  陈宏伟 ,  吴开拓

IPC分类号： H01P7/06

CPC分类号： H01P7/06

摘要： 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调，而且低功耗、驱动快，没有迟滞效应，线性度好、精度与可靠性高。

公开(公告)号：CN106848514A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710086921.8

申请日：2017-02-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 张继华 ,  陈建男 ,  郑懿 ,  陈宏伟

IPC分类号： H01P1/209

CPC分类号： H01P1/209

摘要： 本发明属于通信领域，提供一种基于可调电容的可调谐振腔，包括类同轴结构金属腔体、绝缘介质环、铁电薄膜、电容电极及调谐电极；类同轴结构金属腔体的顶部带有开口环，绝缘介质环填充入开口环处；铁电薄膜设置于金属腔体上方中心，且半径大于等于绝缘介质环的内半径；调谐电极设置于铁电薄膜上方中心；电容电极为环绕调谐电极设置的环形电极，且电容电极外边缘与金属腔体连接，电容电极内边缘与铁电薄膜及金属腔体形成平行电容板结构。本发明采用由铁电薄膜制成的可调电容；首先避免了机械疲劳问题，延长了谐振腔的使用寿命；其次调谐电压只需要达到三十伏特，使调谐更加简便；最后，由于铁电材料极快的反应速度，也增加了谐振腔的调谐速度。

公开(公告)号：CN107171047B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710302990.8

申请日：2017-05-03

申请人： 电子科技大学

发明人： 张继华 ,  郑懿 ,  陈宏伟 ,  吴开拓

IPC分类号： H01P7/06

摘要： 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调，而且低功耗、驱动快，没有迟滞效应，线性度好、精度与可靠性高。

公开(公告)号：CN106848514B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710086921.8

申请日：2017-02-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 张继华 ,  陈建男 ,  郑懿 ,  陈宏伟

IPC分类号： H01P1/209

摘要： 本发明属于通信领域，提供一种基于可调电容的可调谐振腔，包括类同轴结构金属腔体、绝缘介质环、铁电薄膜、电容电极及调谐电极；类同轴结构金属腔体的顶部带有开口环，绝缘介质环填充入开口环处；铁电薄膜设置于金属腔体上方中心，且半径大于等于绝缘介质环的内半径；调谐电极设置于铁电薄膜上方中心；电容电极为环绕调谐电极设置的环形电极，且电容电极外边缘与金属腔体连接，电容电极内边缘与铁电薄膜及金属腔体形成平行电容板结构。本发明采用由铁电薄膜制成的可调电容；首先避免了机械疲劳问题，延长了谐振腔的使用寿命；其次调谐电压只需要达到三十伏特，使调谐更加简便；最后，由于铁电材料极快的反应速度，也增加了谐振腔的调谐速度。