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公开(公告)号：CN109065428B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810935160.3
申请日：2018-08-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种双栅控制式冷阴极电子枪及其制备方法。通过本发明创造，提供了一种工艺简单、使用寿命长和性能优良的新型电子枪，即采用冷阴极作为真空电子器件的发射源，并利用阴极栅网阵列化冷阴极表面，可有效削弱大面积冷阴极材料发射电子的静电屏蔽效应，提高大面积冷阴极材料的发射电流，同时将阴极衬底表面设计为一整个平面，不但可规避加工毛刺等问题，改善边缘效应及打火等现象，还可以使阴极衬底表面的电场分布较为平坦，有利于提高发射电流密度的均匀性，实现大电流发射目的，进而可适用于真空电子辐射元器件或产生大电流及高密度电子注的器件中。
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公开(公告)号：CN110211855B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201910480337.X
申请日：2019-06-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波、毫米波以及太赫兹频段电真空器件领域，具体提供一种基于冷阴极的多极多电子注辐射源。本发明主要包括阴极挡板、辐射源芯、馈电系统、金属外壳以及输出窗片；通过多级发射和多极调制的方式，充分利用高频结构中部较强的高频场作用在冷阴极表面，从而增加发射电流并加深电子注调制深度，使得电子注有显著的预调制效果。本发明能够得到非常优质的场发射预调制电子注，注波互作用效率得到了明显改善，输出功率明显提高；无需电子光学系统这一优势很大程度地减小了器件的复杂度，通过精细加工，器件尺寸可以达到微米量级，实现毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源的集成性和小型化。
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公开(公告)号：CN114038728A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111303041.4
申请日：2021-11-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于真空电子领域，具体提供一种适用于太赫兹行波管的慢波结构及其加工方法。本发明采用圆筒状金属外壳加载倾斜设置的扇面状盘片的交错栅结构，能够大幅改善电子注与慢波在所述结构内的注波互作用，保证较大带宽的同时确保了结构的电子束通道较大、工作频带内的耦合阻抗较高；并且，进一步提出金属外壳与加载盘片分离设计、再通过金属外壳上开设的匹配于加载盘片的倾斜缝隙将加载盘面密封固定于金属外壳上的结构，基于此结构能够采用金属外壳与扇面状盘片单独加工后再装配的加工方式，确保加载盘片的一致性、从而保证器件各单元空间周期的一致性，完美适用于小尺寸的太赫兹行波管的工业化生产，并且具有生产效率高、成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN110211855A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910480337.X
申请日：2019-06-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波、毫米波以及太赫兹频段电真空器件领域，具体提供一种基于冷阴极的多极多电子注辐射源。本发明主要包括阴极挡板、辐射源芯、馈电系统、金属外壳以及输出窗片；通过多级发射和多极调制的方式，充分利用高频结构中部较强的高频场作用在冷阴极表面，从而增加发射电流并加深电子注调制深度，使得电子注有显著的预调制效果。本发明能够得到非常优质的场发射预调制电子注，注波互作用效率得到了明显改善，输出功率明显提高；无需电子光学系统这一优势很大程度地减小了器件的复杂度，通过精细加工，器件尺寸可以达到微米量级，实现毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源的集成性和小型化。
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公开(公告)号：CN107527779B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710713843.X
申请日：2017-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J3/02
摘要： 本发明公开一种基于螺旋带状电子注冷阴极辐射源，涉及微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹电真空器件技术领域，包括由阴极块、阴极发射面、阳极块以及电子枪封装绝缘体构成的螺旋带状电子注冷阴极电子枪、周期结构金属壳、收集极、导引磁场发生器，阴极发射面为矩形；阳极块的下表面为向右下倾斜的斜面，阳极块位于阴极块的右上方；周期结构金属壳开设有贯穿周期结构金属壳左右两端的电子注通道，电子注通道的中部设有沿电子注通道轴向延伸的高频结构；收集极、电子注通道、阴极发射面位于一条直线上。本发明提出一种结构简单，使用寿命长，性能优良的螺旋带状电子注冷阴极电子枪，利用其电子注纵向速度与高频场互作用交出能量，实现电磁辐射。
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公开(公告)号：CN109065428A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810935160.3
申请日：2018-08-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种双栅控制式冷阴极电子枪及其制备方法。通过本发明创造，提供了一种工艺简单、使用寿命长和性能优良的新型电子枪，即采用冷阴极作为真空电子器件的发射源，并利用阴极栅网阵列化冷阴极表面，可有效削弱大面积冷阴极材料发射电子的静电屏蔽效应，提高大面积冷阴极材料的发射电流，同时将阴极衬底表面设计为一整个平面，不但可规避加工毛刺等问题，改善边缘效应及打火等现象，还可以使阴极衬底表面的电场分布较为平坦，有利于提高发射电流密度的均匀性，实现大电流发射目的，进而可适用于真空电子辐射元器件或产生大电流及高密度电子注的器件中。
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公开(公告)号：CN114038728B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111303041.4
申请日：2021-11-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于真空电子领域，具体提供一种适用于太赫兹行波管的慢波结构及其加工方法。本发明采用圆筒状金属外壳加载倾斜设置的扇面状盘片的交错栅结构，能够大幅改善电子注与慢波在所述结构内的注波互作用，保证较大带宽的同时确保了结构的电子束通道较大、工作频带内的耦合阻抗较高；并且，进一步提出金属外壳与加载盘片分离设计、再通过金属外壳上开设的匹配于加载盘片的倾斜缝隙将加载盘面密封固定于金属外壳上的结构，基于此结构能够采用金属外壳与扇面状盘片单独加工后再装配的加工方式，确保加载盘片的一致性、从而保证器件各单元空间周期的一致性，完美适用于小尺寸的太赫兹行波管的工业化生产，并且具有生产效率高、成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN107527779A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710713843.X
申请日：2017-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J3/02
摘要： 本发明公开一种基于螺旋带状电子注冷阴极辐射源，涉及微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹电真空器件技术领域，包括由阴极块、阴极发射面、阳极块以及电子枪封装绝缘体构成的螺旋带状电子注冷阴极电子枪、周期结构金属壳、收集极、导引磁场发生器，阴极发射面为矩形；阳极块的下表面为向右下倾斜的斜面，阳极块位于阴极块的右上方；周期结构金属壳开设有贯穿周期结构金属壳左右两端的电子注通道，电子注通道的中部设有沿电子注通道轴向延伸的高频结构；收集极、电子注通道、阴极发射面位于一条直线上。本发明提出一种结构简单，使用寿命长，性能优良的螺旋带状电子注冷阴极电子枪，利用其电子注纵向速度与高频场互作用交出能量，实现电磁辐射。
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