公开(公告)号：CN111614234B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010459824.0

申请日：2020-05-27

Applicant: 电子科技大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 毕闯 ,  欧宏 ,  赵亮 ,  徐云飞 ,  郝一

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体提供一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路，所述桥臂串扰抑制电路连接于主电路中碳化硅MOSFET的栅极、源极之间，包括：驱动信号放大电路、负压产生电路和RC电位延迟电路其中，所述负压产生电路用于产生负电压、以防止主电路中碳化硅MOSFET误导通，所述RC电位延迟电路用于抬升主电路中碳化硅MOSFET的栅极与源极之间的负向关断电压，以防止主电路中碳化硅MOSFET反向击穿。本发明利用无源器件实现负压关断，并防止因桥臂正向串扰导致开关管的误导通；同时利用RC电位延迟电路实现多电平驱动控制信号的功能，防止因桥臂负向串扰导致开关管的栅源极击穿。

公开(公告)号：CN115051549A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110256862.0

申请日：2021-03-09

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州) ,  国网浙江省电力有限公司

Inventor： 胡榕 ,  毕闯 ,  欧宏 ,  方玉鑫

IPC: H02M1/44 ,  H02M1/32 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明涉及一种IGBT半桥驱动电路，包括：两个无源米勒钳位电路，所述两个无源米勒钳位电路分别与IGBT半桥电路中上、下桥臂IGBT连接；其中，所述无源米勒钳位电路包括：钳位PNP型晶体管、钳位二极管、滤波电路和驱动电阻；所述钳位PNP型晶体管的基级与驱动电源正极连接，发射级与上桥臂IGBT或下桥臂IGBT的栅极输入电阻连接，集电极通过所述滤波电路与驱动电源负极连接；所述钳位二极管并联在钳位PNP型晶体管的集电极以及发射极之间；所述驱动电阻并联在钳位PNP型晶体管的基级和发射极之间。本发明提供的技术方案，利用无源器件抑制了IGBT通断产生的串扰，进而抑制了因桥臂串扰导致IGBT桥臂直通的发生和其它因串扰导致的IGBT异常情况。

公开(公告)号：CN111614234A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010459824.0

申请日：2020-05-27

Applicant: 电子科技大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 毕闯 ,  欧宏 ,  赵亮 ,  徐云飞 ,  郝一

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体提供一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路，所述桥臂串扰抑制电路连接于主电路中碳化硅MOSFET的栅极、源极之间，包括：驱动信号放大电路、负压产生电路和RC电位延迟电路其中，所述负压产生电路用于产生负电压、以防止主电路中碳化硅MOSFET误导通，所述RC电位延迟电路用于抬升主电路中碳化硅MOSFET的栅极与源极之间的负向关断电压，以防止主电路中碳化硅MOSFET反向击穿。本发明利用无源器件实现负压关断，并防止因桥臂正向串扰导致开关管的误导通；同时利用RC电位延迟电路实现多电平驱动控制信号的功能，防止因桥臂负向串扰导致开关管的栅源极击穿。

公开(公告)号：CN113659968B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202110671794.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 许继集团有限公司 ,  许继电气股份有限公司 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 胡四全 ,  周辉 ,  马俊杰 ,  胡剑生 ,  方玉鑫 ,  欧宏 ,  毕闯 ,  陈同浩 ,  田世克 ,  雍进玲 ,  夏洪亮 ,  赵起超 ,  张锐

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明公开了一种IGBT两级软关断短路保护装置，包括：基于Vce退饱和检测的第一短路检测模块、基于栅极电流检测的第二短路检测模块、第一软关断模块、第二软关断模块和栅极驱动电阻；第一短路检测模块检测IGBT的Vce电压，在Vce电压异常时向第一软关断模块发出第一故障信号；第二短路检测模块检测栅极电流，在栅极电流异常时向第二软关断模块发出第二故障信号；第一软关断模块和第二软关断模块依次通过IGBT驱动电路关断IGBT，以减缓IGBT的关断速度。通过两级软关断技术采用电压和电流检测方法结合，兼顾栅极电流检测法的快速高效和Vce退饱和检测法的准确有效，提高短路故障检测的稳定性和可靠性，降低误判概率。

公开(公告)号：CN113659968A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110671794.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 许继集团有限公司 ,  许继电气股份有限公司 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 胡四全 ,  周辉 ,  马俊杰 ,  胡剑生 ,  方玉鑫 ,  欧宏 ,  毕闯 ,  陈同浩 ,  田世克 ,  雍进玲 ,  夏洪亮 ,  赵起超 ,  张锐

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明公开了一种IGBT两级软关断短路保护装置，包括：基于Vce退饱和检测的第一短路检测模块、基于栅极电流检测的第二短路检测模块、第一软关断模块、第二软关断模块和栅极驱动电阻；第一短路检测模块检测IGBT的Vce电压，在Vce电压异常时向第一软关断模块发出第一故障信号；第二短路检测模块检测栅极电流，在栅极电流异常时向第二软关断模块发出第二故障信号；第一软关断模块和第二软关断模块依次通过IGBT驱动电路关断IGBT，以减缓IGBT的关断速度。通过两级软关断技术采用电压和电流检测方法结合，兼顾栅极电流检测法的快速高效和Vce退饱和检测法的准确有效，提高短路故障检测的稳定性和可靠性，降低误判概率。