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公开(公告)号:CN114783712A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210452545.0
申请日:2022-04-27
申请人: 电子科技大学 , 四川省华兴宇电子科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种化学掺杂碳制备高阻值埋嵌式电阻的方法。通过采用阻值添加剂提供C源掺杂Ni‑P薄膜进行化学改性,制备了在树脂基板上沉积Ni‑P‑C的三元合金高阻值材料。经测试,该材料制备的方块电阻高达400Ω以上,通过辅予在线监控电阻器的方法,实现制备误差控制在10%以内的目标。本发明公开的方法有效地解决了常规Ni‑P、Ni‑Cr等金属电阻存在的阻值小、功能值不稳定的难题,并降低了高频通信下信号传输的损耗与寄生效应。
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公开(公告)号:CN117586509A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311828740.X
申请日:2023-12-28
申请人: 电子科技大学 , 江西电子电路研究中心
IPC分类号: C08G77/388
摘要: 本发明涉及一种可自修复的热致变色聚二甲基硅氧烷及制备方法,其利用氨基硅油(PDMS‑NH2)作为主要材料,添加金属盐和多元醛形成配位键和亚胺键,使氨基硅油交联固化具有机械性能。其中,金属配位键和动态亚胺键共同作用赋予了PDMS升温变色和自修复功能。本发明制备的可自修复的热致变色PDMS具有制备工艺简单、工艺流程短、环保、设备投资少、性价比高、可回收利用等优点。
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