一种氧化铈/石墨相氮化碳纳米复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN115837283B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202211465475.9

    申请日:2022-11-22

    摘要: 本发明涉及一种氧化铈/石墨相氮化碳纳米复合光催化剂及其制备方法,其包括,选用极性不同的第一极性溶剂和第二极性溶剂按照一定的比例混合均匀获得混合极性溶剂,在超声条件下,将亚乙基二油酸酰胺表面活性剂分散至混合极性溶剂中,随后加入g‑C3N4纳米片,接着加入乙二胺调节pH值至8~10,形成混合极性溶液;将一定量的乙酰丙酮铈加入混合极性溶液中,在低温条件下,超声反应获得包含有复合光催化剂的混合溶液;将混合溶液提纯后在真空冷冻条件下干燥获得该复合光催化剂。该制备方法温和简单易操作,制备获得的复合光催化剂具有光生电子和空穴对分离效率高和传输性能好的特点。

    一种过渡金属硫化物单晶薄膜复合电极及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118186457A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410401101.3

    申请日:2024-04-03

    摘要: 本发明属于复合电极制备技术领域,公开了一种Co9S8(111)过渡金属硫化物单晶薄膜复合电极及其制备方法与应用,通过激光脉冲沉积技术在YSZ(111)衬底上沉积生长Co9S8(111)单晶薄膜,所得电极材料质量高、厚度薄以及电输运性能好。通过本发明的Co9S8(111)单晶薄膜复合电极应用于电催化水分解析氧反应系统中,可以有效地催化和促进电解水析氧反应的进行。本发明表明,过渡金属硫化物在电催化领域具有良好的性能,展现了良好的应用前景,为设计和改进具有更好催化性能的电催化剂提供可能,为单晶形貌的过渡金属硫化物在电化学性能和能源领域的应用提供了良好的基础,并且,制备工艺简单、制备成本低。

    一种自支撑二维硒氧化物纳米片阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114197051B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202111493079.2

    申请日:2021-12-08

    发明人: 乔梁 丁翔

    摘要: 本发明公开了一种自支撑二维硒氧化物晶体阵列的制备方法,属于半导体材料技术领域。其包括以下步骤:采用硒化铋粉末作为硒化材料置于管式炉上游低温区,利用低温蒸发将其气化,通过载气氩气把硒化铋带到中心高温区与氧化铋进行气相化学反应并沉积到下游低温区氯化钠单晶衬底,形成外延取向一致的二维硒氧化铋晶体阵列。随后通过在材料表面旋涂有机聚合物并加热,待其固化后在去离子水中将氯化钠单晶衬底溶解,获得粘有自支撑二维硒氧化铋阵列的有机聚合物膜并可以转移到其他衬底上去。本发明方法解决了二维硒氧化物纳米片阵列的制备问题和之后的转移问题,有望将这种新兴材料应用于柔性器件,发展到可穿戴设备上,具有广阔的应用前景。

    氧化锌/聚多巴胺异质结及其制备方法和界面中n-π共轭相互作用强度的调节方法

    公开(公告)号:CN117599858A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311665580.1

    申请日:2023-12-06

    发明人: 夏鹏飞 乔梁

    IPC分类号: B01J31/26 B01J31/06 B01J35/39

    摘要: 本发明涉及半导体光催化技术领域,具体涉及一种氧化锌/聚多巴胺异质结及其制备方法和界面中n‑π共轭相互作用强度的调节方法。氧化锌/聚多巴胺异质结的制备方法为将氧化锌纳米片分散在极性溶剂中,向得到的氧化锌分散液中加入三亚乙基四胺作为界面调节剂,三亚乙基四胺的体积占三亚乙基四胺与极性溶剂总体积的2%~30%,搅拌后,调整体系温度至10℃以下,然后加入多巴胺反应,反应后过滤,收集沉淀物并冷冻干燥。本发明以三亚乙基四胺为界面调节剂,通过调整界面调节剂使用量和反应温度,实现对ZnO/PDA异质结界面中n‑π共轭相互作用强度的调控。

    光电化学裂解水制氢的银铋硫基复合光阴极及制备方法

    公开(公告)号:CN117535718A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311364113.5

    申请日:2023-10-18

    摘要: 本发明本发明涉及光电化学裂解水制氢领域公开了一种用于光电化学裂解水制氢的银铋硫(AgBiS2)基复合光阴极及其制备方法,该复合光阴极结构包括位于底部的镀钼导电基底,位于导电基底上方的AgBiS2吸光层,位于吸光层上方的CdS缓冲层,位于缓冲层上方的TiO2保护层,位,于保护层上方的Pt析氢助催化剂层。其制备方法包含以下步骤:利用喷雾热解法在镀钼基底上喷涂一层AgBiS2层;再利用化学水浴法在AgBiS2层上沉积一层CdS层;然后利用原子层沉积法在CdS层上沉积一层TiO2层;最后利用光辅助电沉积法在TiO2层上沉积一层Pt纳米颗粒。本发明公开的AgBiS2基光阴极可在一定偏压下实现高效且稳定的光电化学裂解水制氢,并且其制备方法简单且成本低。

    一种自支撑柔性薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114086118B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111319477.2

    申请日:2021-11-09

    IPC分类号: C23C14/08 C23C14/34 C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备Sr3Al2O6靶材;(2)制备LaNiO3靶材;(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片;(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统,接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜;(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热,接着溶解;(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后,用Si片将其打捞并烘干;(7)将样品去除PMMA,取出后烘干,制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜,其具有质量高,简单快捷的特点。