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公开(公告)号:CN117352979A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202311471533.3
申请日:2023-11-07
申请人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要: 本发明属于微波技术领域,公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构,无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计,实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明适用于有源器件的三维立体集成应用,能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时,该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点,能够广泛应用于微波毫米波前端的系统集成中。仿真结果显示该过渡结构在89.7‑99GHz频段内,具有低传输损耗和低反射系数的良好工作特性。