具有改进的量子效率的二氧化硅涂敷的量子点

    公开(公告)号:CN106537608A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201580040755.7

    申请日:2015-07-24

    摘要: 本发明提供了一种用于产生基于经涂敷的量子点(100)的发光材料(10)的方法,包括(:i)在液体介质(20)中提供发光量子点(100),其中发光量子点(100)具有包括第一阳离子和第一阴离子的外部层(105);以及(ii)在涂敷过程中,在液体介质(20)中的量子点(100)的外部层(105)上提供涂层(120),其中涂层(120)包括二氧化硅涂层;其中在涂敷过程期间,或者在涂敷过程之后,或者在涂敷过程期间和之后,液体介质(20)包括第三元素和第四元素中的一个或多个,其中第一阳离子和第三元素属于周期系的相同族,并且其中第一阴离子和第四元素属于周期系的相同族。

    具有降低的饱和淬火的量子点

    公开(公告)号:CN106463552A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580022040.9

    申请日:2015-04-08

    摘要: 本发明提供一种照明设备(1),包括:(a)包含光接收面(110)的光转换器(100);以及(b)被配置成生成在光接收面(110)处具有至少10W/cm2的光子通量的光源光(11)的固态光源(10),其中光转换器(100)被配置成将光源光(11)的至少部分转换成具有第一频率的光转换器光101),其中光转换器(100)包括处于选自光子晶体结构(31)和等离子体结构(32)的光学结构30)中的半导体量子点(20),其中光学结构(30)被配置成增加光转换器(100)中的与第一频率谐振的光子态密度以用于降低饱和淬火,并且其中量子点(20)具有至少80%的量子效率。