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公开(公告)号：CN104145191B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201380012275.0
申请日：2013-02-20
申请人： 皇家飞利浦有限公司
IPC分类号： G01R33/36
摘要： 本发明提供了一种用于放大射频信号的装置和方法以及一种包括所述装置的MRI系统。本发明的一个方面提出了一种用于放大射频(RF)信号的装置，其包括：磁不敏感输入平衡‑不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；磁不敏感输出平衡‑不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡‑不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡‑不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。所提出的装置不仅具有高功率输出而且是磁不敏感的，使得其能够在诸如MRI扫描器室的强磁场的环境中操作。
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公开(公告)号：CN104145191A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380012275.0
申请日：2013-02-20
申请人： 皇家飞利浦有限公司
IPC分类号： G01R33/36
摘要： 本发明提供了一种用于放大射频信号的装置和方法以及一种包括所述装置的MRI系统。本发明的一个方面提出了一种用于放大射频(RF)信号的装置，其包括：磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。所提出的装置不仅具有高功率输出而且是磁不敏感的，使得其能够在诸如MRI扫描器室的强磁场的环境中操作。
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公开(公告)号：CN106104234B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580011965.3
申请日：2015-03-03
申请人： 皇家飞利浦有限公司
摘要： 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。
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公开(公告)号：CN106104234A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580011965.3
申请日：2015-03-03
申请人： 皇家飞利浦有限公司
CPC分类号： G01K7/01 , G01K7/42 , G01R33/3614
摘要： 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。
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