具有自对准栅电极结构的场致发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1689129A

    公开(公告)日:2005-10-26

    申请号:CN03823864.0

    申请日:2003-09-12

    IPC分类号: H01J9/02 H01J1/304

    CPC分类号: H01J9/025 H01J3/021

    摘要: 本发明涉及一种场致发射器件及其制造方法。该场致发射器件包括:栅电极(140、340、440),其设置有电子穿通孔(135、335、435)的图形。靠近在衬底(125、325、425)上分布的颗粒(110、310、410)排列栅电极(140、340、440),所述颗粒(110、310、410)的至少一部分被排列用于发射电子。利用栅电极(140、340、440),即可施加电场,由此发射粒子发射电子。因为孔(135、335、435)的图形类似于衬底上颗粒(110、310、410)的分布,所以就获得了特别优良的电子发射。利用该制造方法就获得了以下结果,其中在照射步骤中将颗粒(110、310、410)应用于光敏层(150、352)的掩膜区(155、355)。因此,在光敏层(150、352)中就获得了图形,利用此图形以便相对容易地获得栅电极(140、340、440)中的类似图形。