公开(公告)号：CN104282847B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410448773.6

申请日：2014-09-05

申请人： 石家庄铁道大学

发明人： 赵晋津 ,  刘正浩 ,  王鹏 ,  魏丽玉 ,  朱维礼 ,  丁思琪 ,  王喜

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/52

摘要： 本发明公开了一种可扰式钙钛矿型有机卤化物薄膜太阳能电池光阳极制备方法，属于半导体光电材料和纳米薄膜制备领域。本发明采用旋转涂膜法在柔性透明导电基底上制备致密氧化锌薄膜电子传输层；接着采用电化学沉积方法在致密氧化锌薄膜上制备多级孔氧化锌薄膜电子传输层，最后得到的导电基底层/致密半导体/多级孔半导体叠层薄膜，即可扰式钙钛矿型有机卤化物薄膜太阳能电池光阳极。通过控制电化学沉积过程中的电压、沉积时间、温度、沉积液浓度等条件调控氧化锌多级孔层的结构和形貌，此方法的优点是制作工艺简单、成本低廉、合成温度低、可控性强，制得多级孔氧化锌薄膜均匀稳定，适合作为可扰式钙钛矿薄膜太阳能电池光阳极材料。

公开(公告)号：CN104282847A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410448773.6

申请日：2014-09-05

申请人： 石家庄铁道大学

发明人： 赵晋津 ,  刘正浩 ,  王鹏 ,  魏丽玉 ,  朱维礼 ,  丁思琪 ,  王喜

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/0021 ,  H01L51/4233 ,  H01L51/441

摘要： 本发明公开了一种可扰式钙钛矿型有机卤化物薄膜太阳能电池光阳极制备方法，属于半导体光电材料和纳米薄膜制备领域。本发明采用旋转涂膜法在柔性透明导电基底上制备致密氧化锌薄膜电子传输层；接着采用电化学沉积方法在致密氧化锌薄膜上制备多级孔氧化锌薄膜电子传输层，最后得到的导电基底层/致密半导体/多级孔半导体叠层薄膜，即可扰式钙钛矿型有机卤化物薄膜太阳能电池光阳极。通过控制电化学沉积过程中的电压、沉积时间、温度、沉积液浓度等条件调控氧化锌多级孔层的结构和形貌，此方法的优点是制作工艺简单、成本低廉、合成温度低、可控性强，制得多级孔氧化锌薄膜均匀稳定，适合作为可扰式钙钛矿薄膜太阳能电池光阳极材料。