公开(公告)号：CN107400918A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710650507.5

申请日：2017-08-02

申请人： 石家庄铁道大学 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 赵晋津 ,  孔国丽 ,  王晨 ,  欧云 ,  甄云策 ,  刘正浩 ,  苏晓 ,  王一

IPC分类号： C30B19/00

CPC分类号： C30B19/00

摘要： 本发明公开了一种单晶薄膜生长装置，包括主槽和固定槽，所述主槽内部放置有固定槽，所述固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽，所述固定槽前后侧面设有侧通液口，所述固定槽底部设有底通液口，固定槽前后侧面设有侧通液口，固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力，主槽底部边缘设有圆角，可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积，便于设备使用后的清洗，固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通，固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽，可以同时进行两组薄膜生长实验，避免偶然因素对薄膜生长产生影响。

公开(公告)号：CN107400918B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201710650507.5

申请日：2017-08-02

申请人： 石家庄铁道大学 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 赵晋津 ,  孔国丽 ,  王晨 ,  欧云 ,  甄云策 ,  刘正浩 ,  苏晓 ,  王一

IPC分类号： C30B19/00

摘要： 本发明公开了一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜装置，包括主槽和固定槽，主槽内部放置有固定槽，固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽，固定槽前后侧面设有侧通液口，固定槽底部设有底通液口，固定槽前后侧面设有侧通液口，固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力，主槽底部边缘设有圆角，可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积，便于设备使用后的清洗，固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通，固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽，可以同时进行两组薄膜生长实验，避免偶然因素对薄膜生长产生影响。

公开(公告)号：CN107460535A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710650476.3

申请日：2017-08-02

申请人： 石家庄铁道大学 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 赵晋津 ,  赵星宇 ,  谢淑红 ,  孔国丽 ,  贾春媚 ,  魏丽玉 ,  甄云策 ,  张颖

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/54 ,  H01L51/42

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C30B11/00 ,  C30B29/54 ,  H01L51/4226

摘要： 本发明公开了一种原位生长单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜材料的制备方法，涉及薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过运用单晶生长模具并设置温度梯度，在多级孔半导体电子传输层上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜，从而控制钙钛矿晶体的形貌，提高钙钛矿太阳能电池光吸收层的质量。与现有技术相比，本发明实验方法工艺简单，操作方便，薄膜形貌和厚度可控，可重复性高；同时，单晶钙钛矿薄膜不存在晶界，具有低缺陷密度，有利于自由载流子的运动和传输，降低光生电子和空穴的复合，可以有效提高电池的光电转换效率。