公开(公告)号：CN101383191B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810121736.9

申请日：2008-10-27

申请人： 矽谷晶量半导体(杭州)有限公司

发明人： 骆建军 ,  陶航 ,  陈丽娜

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C29/56

摘要： 本发明公开了一种Flash存储芯片总线信号分析工具，其特征在于，它主要由Flash总线信号采样单元、Flash总线信号分析单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成。所述Flash总线信号采样单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号分析单元相连。所述Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号显示单元相连。本发明相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。搭建分析环境十分简便，操作简单、方便，存储深度大。

公开(公告)号：CN101383191A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810121736.9

申请日：2008-10-27

申请人： 矽谷晶量半导体(杭州)有限公司

发明人： 骆建军 ,  陶航 ,  陈丽娜

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C29/56

摘要： 本发明公开了一种Flash存储芯片总线信号分析工具，其特征在于，它主要由Flash总线信号采样单元、Flash总线信号分析单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成。所述Flash总线信号采样单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号分析单元相连。所述Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号显示单元相连。本发明相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。搭建分析环境十分简便，操作简单、方便，存储深度大。