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公开(公告)号:CN113054104A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202011479892.X
申请日:2020-12-15
申请人: 硅谷实验室公司
摘要: 隔离电容器结构通过将隔离电容器的顶板物理地再成形为或分成两段来降低钝化层的击穿的可能性。这样,电场被向下驱动并远离钝化表面。一个实施例利用由电容器的顶部金属板和位于顶部金属板上的附加“顶帽”板形成的串联电容器,该串联电容器将电场再定向到主隔离电容器中。可以包括位于顶帽板和顶部金属板之间的通路。另一种方法是使顶板再成形以具有一体形成的顶帽结构,并获得将电荷向下引导并远离钝化层表面的击穿路径的类似结果。