一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装

    公开(公告)号:CN110942908B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201910748601.3

    申请日:2019-08-14

    IPC分类号: H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装,方法包括如下步骤:磁体组件预处理;在预处理后的所述磁体组件的至少一个表面形成未完全固化的热固性树脂层;采用夹持工装对所述磁体组件进行堆叠,所述磁体组件的堆叠表面形成有所述的未完全固化的热固性树脂层,挤压所述堆叠后的磁体组件,所述挤压力为0.01MPa‑2.5MPa;将所述堆叠后的磁体组件连同夹持工装在烘箱内烘烤固化,烘烤温度为150℃‑200℃,烘烤时间为10min‑24h;冷却后得到组合磁体。本发明还公开了一种用于上述低涡流发热的组合磁体制备的夹持工装。本发明通过在磁体组件表面形成树脂层,经堆叠后加热固化,无需另外处理多余粘胶。

    一种低B含量的R-Fe-B系烧结磁铁及其制备方法

    公开(公告)号:CN110619984B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201810629609.3

    申请日:2018-06-19

    IPC分类号: H01F1/057

    摘要: 本发明公开了一种低B含量的R‑Fe‑B系烧结磁铁及其制备方法,包括如下成分:28.5wt%‑31.5wt%的R,0.86wt%‑0.94wt%的B,0.2wt%‑1wt%的Co,0.2wt%‑0.45wt%的Cu,0.3wt%‑0.5wt%的Ga,0.02wt%‑0.2wt%的Ti,以及61wt%‑69.5wt%的Fe,所述烧结磁铁具有占晶界总体积75%以上的R6‑T13‑δM1+δ系相。其选择最优范围含量的R、B、Co、Cu、Ga和Ti,通过形成特殊组成的R6‑T13‑δM1+δ系相并提高其在晶界相中的体积率,获得更高Hcj和SQ值。

    一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装

    公开(公告)号:CN110942908A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201910748601.3

    申请日:2019-08-14

    IPC分类号: H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装,方法包括如下步骤:磁体组件预处理;在预处理后的所述磁体组件的至少一个表面形成未完全固化的热固性树脂层;采用夹持工装对所述磁体组件进行堆叠,所述磁体组件的堆叠表面形成有所述的未完全固化的热固性树脂层,挤压所述堆叠后的磁体组件,所述挤压力为0.01MPa-2.5MPa;将所述堆叠后的磁体组件连同夹持工装在烘箱内烘烤固化,烘烤温度为150℃-200℃,烘烤时间为10min-24h;冷却后得到组合磁体。本发明还公开了一种用于上述低涡流发热的组合磁体制备的夹持工装。本发明通过在磁体组件表面形成树脂层,经堆叠后加热固化,无需另外处理多余粘胶。

    一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用

    公开(公告)号:CN113889310A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111054357.4

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: H01F1/057 H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分:R、B、Ti、Cu和Ga;R:29.0~31.5wt%;B:0.87‑0.91wt%;所述R为稀土元素;所述R中包括轻稀土元素RL,所述RL中包括Nd;所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式:(1)0<Ti/(Cu+Ga)≤0.8;(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5;wt%是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比;余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异:非晶界扩散品Br≥14.50kGs,Hcj≥15kOe,晶界扩散品:Br≥14.50kGs,Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。