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公开(公告)号:CN110942908B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN201910748601.3
申请日:2019-08-14
申请人: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC分类号: H01F41/02
摘要: 本发明公开了一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装,方法包括如下步骤:磁体组件预处理;在预处理后的所述磁体组件的至少一个表面形成未完全固化的热固性树脂层;采用夹持工装对所述磁体组件进行堆叠,所述磁体组件的堆叠表面形成有所述的未完全固化的热固性树脂层,挤压所述堆叠后的磁体组件,所述挤压力为0.01MPa‑2.5MPa;将所述堆叠后的磁体组件连同夹持工装在烘箱内烘烤固化,烘烤温度为150℃‑200℃,烘烤时间为10min‑24h;冷却后得到组合磁体。本发明还公开了一种用于上述低涡流发热的组合磁体制备的夹持工装。本发明通过在磁体组件表面形成树脂层,经堆叠后加热固化,无需另外处理多余粘胶。
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公开(公告)号:CN110619984B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN201810629609.3
申请日:2018-06-19
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC分类号: H01F1/057
摘要: 本发明公开了一种低B含量的R‑Fe‑B系烧结磁铁及其制备方法,包括如下成分:28.5wt%‑31.5wt%的R,0.86wt%‑0.94wt%的B,0.2wt%‑1wt%的Co,0.2wt%‑0.45wt%的Cu,0.3wt%‑0.5wt%的Ga,0.02wt%‑0.2wt%的Ti,以及61wt%‑69.5wt%的Fe,所述烧结磁铁具有占晶界总体积75%以上的R6‑T13‑δM1+δ系相。其选择最优范围含量的R、B、Co、Cu、Ga和Ti,通过形成特殊组成的R6‑T13‑δM1+δ系相并提高其在晶界相中的体积率,获得更高Hcj和SQ值。
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公开(公告)号:CN114188114A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111348771.6
申请日:2021-11-15
申请人: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。本发明公开的制备方法包括:将原料经熔炼、铸造、粉碎、成型、烧结和时效处理;铸造采用速凝铸片法;其中铜锟转速为2m/s~4m/s,冷却水温度为5℃~15℃;烧结钕铁硼磁体材料的原料包括:B,0.88%~0.93%;X,0.05%~0.45%,X为Zr和/或Ti;Ga,0.3%~0.7%;Y,28%~31%,Y为Pr和/或Nd;Z,0%~2%,Z为Dy和/或Tb;Cu,0.2%~1%;Co,0%~1%;Al,0%~1%;Fe,余量。该烧结钕铁硼磁体材料机械强度高,能够降低其在机加工时的不良率,从而减少其加工成本。
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公开(公告)号:CN110648813B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201910939789.X
申请日:2019-09-30
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
摘要: 本发明提供了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料中,按重量百分比计包含:R的含量为29.0~33wt%,且RH含量<1.5wt%;Cu的含量为0.40~0.60wt%;Co的含量为0.5~1.5wt%;B的含量为0.98~1.05wt%;Al的含量为0.4~0.8wt%;Ga的含量为0.2~0.3wt%;Fe的含量为63~68wt%。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异,能够实现Br和Hcj的同步提升;并且R‑T‑B系永磁材料的液相熔点得到大幅度降低,使得最佳回火的温度范围很大,对设备的温差要求小。
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公开(公告)号:CN111081444A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN202010016222.8
申请日:2020-01-08
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC分类号: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C38/14 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/02 , B22F9/04
摘要: 本发明公开了R-T-B系烧结磁体及其制备方法。该R-T-B系烧结磁体包含:R、B、Ti、Ga、Al、Cu和T,其含量如下:R的含量为29.0~33%;B的含量为0.86~0.93%;Ti的含量为0.05~0.25%;Ga的含量为0.3~0.5%,但不为0.5%;Al的含量为0.6~1%,但不为0.6%;Cu的含量为0.36~0.55%;所述百分比为质量百分比。本发明通过采用低B技术,在不添加或少量添加重稀土的情况下,既提高了R-T-B系烧结磁体的剩磁性能,也保证了磁体的矫顽力和方形度。
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公开(公告)号:CN110942908A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201910748601.3
申请日:2019-08-14
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC分类号: H01F41/02
摘要: 本发明公开了一种低涡流发热的组合磁体的制作方法及夹持工装,方法包括如下步骤:磁体组件预处理;在预处理后的所述磁体组件的至少一个表面形成未完全固化的热固性树脂层;采用夹持工装对所述磁体组件进行堆叠,所述磁体组件的堆叠表面形成有所述的未完全固化的热固性树脂层,挤压所述堆叠后的磁体组件,所述挤压力为0.01MPa-2.5MPa;将所述堆叠后的磁体组件连同夹持工装在烘箱内烘烤固化,烘烤温度为150℃-200℃,烘烤时间为10min-24h;冷却后得到组合磁体。本发明还公开了一种用于上述低涡流发热的组合磁体制备的夹持工装。本发明通过在磁体组件表面形成树脂层,经堆叠后加热固化,无需另外处理多余粘胶。
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公开(公告)号:CN110648813A
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201910939789.X
申请日:2019-09-30
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
摘要: 本发明提供了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R-T-B系永磁材料中,按重量百分比计包含:R的含量为29.0~33wt%,且RH含量<1.5wt%;Cu的含量为0.40~0.60wt%;Co的含量为0.5~1.5wt%;B的含量为0.98~1.05wt%;Al的含量为0.4~0.8wt%;Ga的含量为0.2~0.3wt%;Fe的含量为63~68wt%。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异,能够实现Br和Hcj的同步提升;并且R-T-B系永磁材料的液相熔点得到大幅度降低,使得最佳回火的温度范围很大,对设备的温差要求小。
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公开(公告)号:CN114220622A
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202111414971.7
申请日:2021-11-25
申请人: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种抗氧化组合物、稀土永磁体、烧结磁铁类材料、制备方法。该抗氧化组合物包括如下组分:聚α烯烃30mas%~60mas%;油酸丁酯10mas%~30mas%;脂肪酸甲酯1mas%~20mas%;溶剂油10mas%~40mas%。该抗氧化组合物在用于制备永磁体的过程中,可以提高粉体的分散性、提高磨粉效率,浸润性优异,可以很好的包裹着磁粉,阻止氧、氮与磁粉的接触,起到了防氧化的作用、降低氮含量;同时在碳含量较高的前提下,能够保证烧结磁铁与稀土永磁体的较高剩磁与矫顽力。
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公开(公告)号:CN111636035B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202010528355.3
申请日:2020-06-11
申请人: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
IPC分类号: C22C38/14 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/08 , C22C38/16 , C22C38/06 , C22C38/32 , C22C38/30 , C22C38/28 , C22C38/26 , C22C38/24 , C22C38/22 , C22C38/20 , C22C38/54 , C22C38/52 , C22C38/50 , C22C38/48 , C22C38/46 , C22C38/44 , C22C38/42 , C22C38/60 , C22C33/02 , H01F1/057 , H01F41/02
摘要: 本发明公开了一种重稀土合金、钕铁硼永磁材料、原料和制备方法。该重稀土合金包括以下组分:RH,30~100mas%、且不为100mas%;X,0~20mas%、且不为0;B,0~1.1mas%;Fe和/或Co,15~69mas%,RH包括Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sc中的一种或多种重稀土元素;X为Ti和/或Zr。本发明的重稀土合金在作为子合金用于制备钕铁硼永磁材料时,实现了重稀土利用率高,使得在钕铁硼永磁材料保持较高剩磁的同时,矫顽力也能得到较大提升。
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公开(公告)号:CN113889310A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111054357.4
申请日:2019-12-31
申请人: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
摘要: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分:R、B、Ti、Cu和Ga;R:29.0~31.5wt%;B:0.87‑0.91wt%;所述R为稀土元素;所述R中包括轻稀土元素RL,所述RL中包括Nd;所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式:(1)0<Ti/(Cu+Ga)≤0.8;(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5;wt%是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比;余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异:非晶界扩散品Br≥14.50kGs,Hcj≥15kOe,晶界扩散品:Br≥14.50kGs,Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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