一种高利用率BIBO晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN115652407B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202211431151.3

    申请日:2022-11-16

    IPC分类号: C30B9/12 C30B29/22

    摘要: 一种高利用率BIBO晶体的制备方法,根据BIBO晶体生长的外形特点,采用特殊结构的扇形坩埚,并利用籽晶杆将籽晶设置在靠近坩埚中心旋转轴的位置,籽晶杆不断进行顺时针和逆时针的来回转动,通过扇形坩埚设置特殊的温度场,抑制晶体边角杂晶的形成,同时保证晶体极性生产,进一步提高了BIBO晶体的利用率。

    一种高精度内圆柱面抛光装置及抛光方法

    公开(公告)号:CN117300869A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311470946.X

    申请日:2023-11-07

    IPC分类号: B24B29/04 B24B41/00 B24B1/00

    摘要: 一种高精度内圆柱面抛光装置及抛光方法,该装置包括:利用旋转主轴带动底盘和圆柱状的抛光垫旋转,从而带动圆环产品也旋转,在圆环产品的外侧面上具有自带阻尼的弹性滚轮,弹性滚轮均匀按压圆环产品的外侧面,使得圆环产品和圆柱抛光垫之间存在旋转速度差,从而实现圆环产品内圆柱面各径向区域被圆柱抛光垫均匀磨削去除尺寸;使用摆轴带动拨叉沿着旋转主轴的延伸方向运动,间接拨动调整圆环产品左右运动的幅度,从而调整圆环产品内圆柱面各轴向区域被磨削去除的尺寸量。本发明能够实现内圆柱面各径向区域的高精度抛光;并实现内圆柱面的圆柱度精准可控。

    高功率三端口光纤耦合声光移频器以及利用其的激光装置

    公开(公告)号:CN117233987A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311308532.7

    申请日:2023-10-11

    IPC分类号: G02F1/125 G02B6/42

    摘要: 高功率三端口光纤耦合声光移频器以及利用其的激光装置,沿着光轴依次包括:输入光准直器,用于输入频率为的光束,并入射至声光器件;声光器件,用于对输入光束进行频移,得到0级光光束和1级光光束;反射器,用于对0级光光束进行反射,使得0级光偏离1级光;0级光接收准直器和1级光接收准直器。该激光装置利用0级光作为参考光。本发明利用反射器将0级光与1级光分离,完全避免了0级光对1级光的接收准直器的击伤,减少了声光移频器的尺寸,提高了其工作功率;将0级光用作为参考光提高了激光装置的光束利用率。

    一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法

    公开(公告)号:CN115467010B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202211169844.X

    申请日:2022-09-26

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/22

    摘要: 一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法,该生长方法利用圆锥型铂金盖、铂金坩埚、倒圆锥铂金套筒和铂金线圈组合得到低温相BBO晶体生长装置,克服常规低温相BBO晶体生长全过程温场不能调节的缺点,生长初期利用圆锥型铂金盖和倒圆锥铂金套筒的热辐射,形成特殊温场,提高温度梯度,减少包络形成,同时利用套筒的束缚生长,保证晶体向下生长,得到厚度30mm的毛坯,可切晶体器件长度大于30mm;晶体生长后期通过线圈通气,保证晶体生长后期熔体加快对流,增加梯度,减少杂质的进入,保证晶体高质量生长,得到中间区域包络大大减少,晶体利用率提高到80%。

    一种光胶下盘方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115657253A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211593230.4

    申请日:2022-12-13

    IPC分类号: G02B7/00

    摘要: 本发明公开了一种光胶下盘方法,主要包含加热装置,光学基底,热膨胀材料,光学件。在t0温度,将热膨胀材料置于光学基底的凹槽内,光学件与光学基底光胶,盖住热膨胀材料。下盘过程,使用加热装置对整个光胶件加热至t1温度,热膨胀材料发生膨胀,分离光胶面,使光学件与光学基底开胶。若仅考虑垂直于光胶面方向的线性膨胀,则t1温度相比t0温度材料延伸ΔL=α×L×(t1‑t0),式中α为该材料的线性热膨胀系数。本发明的光胶下盘方法,从光胶面施加垂直作用力分离光胶面,避免常规下盘施加水平分力对产品棱边造成的损伤。

    一种耐高温型晶体密封装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114873041A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210595931.5

    申请日:2022-05-30

    摘要: 本发明公开了一种耐高温型晶体密封装置,它涉及晶体密封领域。它包括压条、装载体、外壳体、氟橡胶圈、窗口片、弹性挡圈、锁圈、端盖和螺丝。所述的压条两侧设有凹槽。所述的装载体内部设有T型通槽,底部设有呈垂直方向的螺纹孔,且两端设有同压条相同半径的凹槽,通过螺丝固定在外壳体内。所述的锁圈嵌入凹槽将压条和装载体锁住。所述的外壳两端设置限位台阶,底部的限位台阶设有呈垂直方向的通孔,且两端分别装有窗口片,氟橡胶圈,弹性挡圈。所述的端盖通过螺丝固定在外壳体上。本发明整体结构小巧紧凑,密封可靠,实现易潮解晶体产品充分密封安装,在常温甚至高温情况下长期使用。

    一种表面超高损伤阈值的抛光加工装置及方法

    公开(公告)号:CN114789378A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202210603006.2

    申请日:2022-05-31

    摘要: 一种表面超高损伤阈值的抛光加工装置及方法,该方法在于,将玻璃工件粘结在粘结盘上,选用纳米级磁流变抛光液作为磨料悬浮液,以一定的压力注入抛光容器主体中,在玻璃工件与微孔结构抛光模之间存在液膜,驱动粘结盘使得悬浮在纳米级磁流变抛光液的玻璃工件以一定速率进行旋转,同时,利用垂直方向的磁场驱动抛光液进行缓慢蠕动,使得玻璃工件在长时间内进行切向蠕动摩擦以进行抛光。本发明将机械抛光与磁流变抛光相互结合,经过长时间的切向蠕动摩擦抛光,达到去除光学亚表面损伤的目的,抛光模采用微孔结构的聚氨酯或者绒布,并进一步在抛光模的表面沿着磁场方向开横线阵列槽,方便抛光液在磁场的作用下,沿磁场方向定向运动。

    一种基于深紫外光谱分析和图像识别的光学分析仪器

    公开(公告)号:CN114660012A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210322533.6

    申请日:2022-03-30

    IPC分类号: G01N21/33 G01N21/41 G01N21/88

    摘要: 一种基于深紫外光谱分析和图像识别的光学分析仪器,包括:深紫外激光光源和辅助光源、样品台、第一光学成像模块和光谱分析探测器,本发明以深紫外激光作为激发光源,结合辅助光源照射样品,以光谱分析结合高清图像分析,可以自动快速检测光学材料及光学器件的质量;能够通过扫描检测精确定位光学材料及光学器件的缺陷存在区域,对光学材料的缺陷类型进行判定,分析光学材料的成分均匀性;通过深紫外激光和辅助光源的协同检测,能够更为精细地检测光学器件的加工质量;智能化比对技术结合数据库可以高效自动完成光学材料和光学器件的品质分析。

    一种600-2700nm波段消色差半波片

    公开(公告)号:CN112099126B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202011087349.5

    申请日:2020-10-13

    IPC分类号: G02B5/30

    摘要: 本发明公开了一种600‑2700nm波段消色差半波片,包括三片厚度相同的石英晶体波片和三片厚度相同的氟化镁晶体波片;组装结构为石英晶体波片与氟化镁晶体波片正交组合成3对波片,第一对和第二对波片等效光轴成0‑180°夹角,第三对波片等效光轴与第一对波片等效光轴相互平行,6片晶体波片光轴都与通光面平行;通过琼斯矩阵计算石英波片和氟化镁波片的厚度参数,得到600‑2700nm波段精度高于1/360的半波片。

    一种利用电光晶体进行光计算的装置

    公开(公告)号:CN112859392B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202110294644.6

    申请日:2021-03-19

    IPC分类号: G02F1/03

    摘要: 一种利用电光晶体进行光计算的装置,包括:上电路板,下电路板,以及位于上、下电路板之间的多个电光计算单元,每个电光计算单元包括电光晶体,以及位于电光晶体上下表面的上电极片和下电极片,所述上下电路板能够对上下电极片进行实时控制,从而实现光路的导通、截止和偏移;多个电光计算单元相互配合,从而实现电路控制下的光计算。本发明避免了电磁干扰,且计算速度快,控制方便;采用DKDP晶体作为电光晶体进行光计算,实现高效通光;可以通过制作微光学器件,压缩光计算装置的整体大小,提高集成度,使得大规模集成压缩成小体积的复杂光路控制成为可能,提高了光计算装置的集成度。