自限反应沉积设备及自限反应沉积方法

    公开(公告)号:CN103031538A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210376946.9

    申请日:2012-09-29

    申请人: 索尼公司

    IPC分类号: C23C16/44

    CPC分类号: C23C16/45551 C23C16/545

    摘要: 本发明提供了一种自限反应沉积设备及自限反应沉积方法。该自限反应沉积设备包括第一导向辊、第二导向辊、以及至少一个第一头部。第一导向辊在支撑通过辊对辊工艺输送的基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第一方向变成不与第一方向平行的第二方向。第二导向辊在支撑基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第二方向变成不与第二方向平行的第三方向。至少一个第一头部布置在第一导向辊与第二导向辊之间,面向与基材的第一表面相对的第二表面,并朝向第二表面排放用于自限反应沉积的原料气体。

    光学元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102141641A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110024525.5

    申请日:2011-01-21

    申请人: 索尼公司

    摘要: 本发明提供了光学元件及其制造方法,该光学元件包括:具有凹凸表面的第一光学层;在第一光学层的凹凸表面上设置的波长选择反射层;在设有波长选择反射层的凹凸表面上设置第二光学层,以填充凹凸表面,并且在上述光学元件中,波长选择反射层包括金属层、设置在金属层上并含有金属氧化物作为主要成分的保护层、以及设置在该保护层上并含有除锌氧化物之外的金属氧化物作为主要成分的高折射率层,并且波长选择反射层选择性地定向反射特定波长带中的光,而透射该特定波长带之外的光。