公开(公告)号：CN104009392A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410054215.1

申请日：2014-02-18

Applicant: 索尼公司

Inventor： 阿部博明

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/58 ,  H01S5/0653 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供了半导体发光元件和含有该半导体发光元件的显示装置，它们使得将要出射的光的光强度分布是正态分布，并且能够形成高精细的图像。在所述半导体发光元件中，第一区域和第二区域沿着光波导的延伸方向周期性地且交替地布置于所述光波导中，并且当用P1和P2分别表示所述第一区域的数量和所述第二区域的数量时，如果P1-P2=1，那么P2是2以上的整数，而如果P2-P1=1，那么P1是2以上的整数。此外，所述第一区域的有效折射率不同于所述第二区域的有效折射率，所述第一区域的宽度不同于所述第二区域的宽度，或者两种类型的基横模的光被出射。

公开(公告)号：CN1264259C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN03800137.3

申请日：2003-02-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 阿部博明 ,  我妻新一 ,  星望 ,  铃木洋一

IPC: H01S5/22 ,  G11B7/125

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087

Abstract: AlGaInP激光装置(24)和AlGaAs激光装置(26)布置成使相应的带(28，30)相互平行。在当从激光主发射侧(011)(22c)观察时，AlGaInP激光装置(24)布置在相对于基板的中心线的(011)平面(22b)侧而AlGaAs激光装置26布置在相对于基板中心线的(011)平面(22a)侧。基板22是一倾斜基板并相对(100)面由(011)面(22a)侧以在2度到15度范围内的一确定角度，向(011)平面(22b)侧倾斜。AlGaInP激光装置(24)的光轴L1平行于AlGaAs激光装置(26)的光轴L2或以大约0.5度靠近。

公开(公告)号：CN104009391A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410027835.6

申请日：2014-01-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 阿部博明

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/106 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件、制造半导体发光元件的方法和包括半导体发光元件的显示装置。所述半导体发光元件包括基板，在所述基板中的凹部，设置在所述凹部内的脊部，所述脊部具有一定宽度，其中所述凹部具有沿着所述脊部的长度方向变化的宽度，所述脊部由包括活性层的化合物半导体多层结构形成，和所述活性层具有沿着所述脊部的长度方向变化的厚度。

公开(公告)号：CN1498447A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03800137.3

申请日：2003-02-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 阿部博明 ,  我妻新一 ,  星望 ,  铃木洋一

IPC: H01S5/22 ,  G11B7/125

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087

Abstract: AlGaInP激光装置(24)和AlGaAs激光装置(26)布置成使相应的带(28，30)相互平行。在当从激光主发射侧(011)(22c)观察时，AlGaInP激光装置(24)布置在相对于基板的中心线的(011)平面(22b)侧而AlGaAs激光装置26布置在相对于基板中心线的(011)平面(22a)侧。基板22是一倾斜基板并相对(100)面由(011)面(22a)侧以在2度到15度范围内的一确定角度，向(011)平面(22b)侧倾斜。AlGaInP激光装置(24)的光轴L1平行于AlGaAs激光装置(26)的光轴L2或以大约0.5度靠近。