公开(公告)号：CN111699524B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201980012191.4

申请日：2019-01-23

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 甚田诚一郎 ,  宫崎胜史

IPC分类号： G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

摘要： 该显示装置配备有：像素阵列部分，由设置在基板上的像素形成；外围电路部分，设置在像素阵列部分的外围，并且用于驱动像素；以及温度传感器电路，设置在与像素相同的基板上，其中，通过使用包括由薄膜晶体管形成的多个逆变器的逆变电路来形成温度传感器电路。此外，温度传感器电路的薄膜晶体管的沟道部分的结晶度不同于构成外围电路部分的薄膜晶体管的沟道部分。

公开(公告)号：CN111699524A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012191.4

申请日：2019-01-23

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 甚田诚一郎 ,  宫崎胜史

IPC分类号： G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

摘要： 该显示装置配备有：像素阵列部分，由设置在基板上的像素形成；外围电路部分，设置在像素阵列部分的外围，并且用于驱动像素；以及温度传感器电路，设置在与像素相同的基板上，其中，通过使用包括由薄膜晶体管形成的多个逆变器的逆变电路来形成温度传感器电路。此外，温度传感器电路的薄膜晶体管的沟道部分的结晶度不同于构成外围电路部分的薄膜晶体管的沟道部分。

公开(公告)号：CN113168080B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201980081869.4

申请日：2019-12-05

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 甚田诚一郎 ,  宫崎胜史

IPC分类号： G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  H04N5/74 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

摘要： 本技术的一方式涉及的图像显示装置具备图像生成部和投影光学系统。所述图像生成部具有第一像素区域和第二像素区域，生成包含由所述第一像素区域生成的第一像素光和由所述第二像素区域生成的第二像素光的图像光。所述投影光学系统投影所述图像光，以使由所述第一像素光构成的第一部分图像的图像状态与由所述第二像素光构成的第二部分图像的图像状态不同。

公开(公告)号：CN113168080A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980081869.4

申请日：2019-12-05

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 甚田诚一郎 ,  宫崎胜史

IPC分类号： G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  H04N5/74 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

摘要： 本技术的一方式涉及的图像显示装置具备图像生成部和投影光学系统。所述图像生成部具有第一像素区域和第二像素区域，生成包含由所述第一像素区域生成的第一像素光和由所述第二像素区域生成的第二像素光的图像光。所述投影光学系统投影所述图像光，以使由所述第一像素光构成的第一部分图像的图像状态与由所述第二像素光构成的第二部分图像的图像状态不同。