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公开(公告)号：CN110050347A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075891.9
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
摘要： 本技术涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。所述摄像元件包括像素阵列，在所述像素阵列中至少布置有：第一光接收部，其被构造成接收预定颜色的光；和第二光接收部，其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。而且，在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下，在布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110050346A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075675.4
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
摘要： 本发明的技术涉及能够选择性地仅获取特定电磁波波长并生成具有改进的波长分辨率的信号的成像器件和电子设备。本技术包括：第一像素，其配置有允许第一频段的光透过的金属薄膜滤波器；和第二像素，其配置有允许比第一频段宽的第二频段的光透过的滤色器。从多个第一像素的信号生成第三频段的信号，多个像素配置有允许不同的第一频段的光透过的金属薄膜滤波器。例如，本技术能够应用于背面照射型或表面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110050347B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201780075891.9
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
摘要： 本技术涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。所述摄像元件包括像素阵列，在所述像素阵列中至少布置有：第一光接收部，其被构造成接收预定颜色的光；和第二光接收部，其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。而且，在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下，在布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110024129A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073250.X
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 根据一些方面，本发明提供一种摄像元件，该摄像元件包括光电转换层，所述光电转换层被构造成接收光并响应于所接收的光产生电荷，还包括：第一滤光片区，其与摄像元件的第一像素对应，第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第一滤光片区以第一峰值透射波长透射入射到第一滤光片区上的光；以及第二滤光片区，其与摄像元件的第二像素对应，第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第二滤光片区以第二峰值透射波长透射入射到第二滤光片区上的光，第二峰值透射波长大于第一峰值透射波长。
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公开(公告)号：CN110024129B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201780073250.X
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 根据一些方面，本发明提供一种摄像元件，该摄像元件包括光电转换层，所述光电转换层被构造成接收光并响应于所接收的光产生电荷，还包括：第一滤光片区，其与摄像元件的第一像素对应，第一滤光片区具有第一厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第一滤光片区以第一峰值透射波长透射入射到第一滤光片区上的光；以及第二滤光片区，其与摄像元件的第二像素对应，第二滤光片区具有大于第一厚度的第二厚度和在其中形成的多个贯通孔，其中，第二滤光片区以第二峰值透射波长透射入射到第二滤光片区上的光，第二峰值透射波长大于第一峰值透射波长。
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公开(公告)号：CN110036482B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201780075138.X
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 根据一些方面，提出一种成像器件，其包括：偏振器，被构造为使光沿着偏振方向线性偏振；滤波器层，被构造为接收来自偏振器的偏振光且根据偏振光的波长选择性地过滤光；和光电转换层，被构造为接收滤波器层过滤后的光且响应于接收到的光产生电荷，其中，滤波器层包括形成在滤波器层中的多个通孔，并且多个通孔的通孔的横断面形状在偏振方向上延伸的量大于在与偏振方向垂直的方向上延伸的量。
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公开(公告)号：CN110036482A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075138.X
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 根据一些方面，提出一种成像器件，其包括：偏振器，被构造为使光沿着偏振方向线性偏振；滤波器层，被构造为接收来自偏振器的偏振光且根据偏振光的波长选择性地过滤光；和光电转换层，被构造为接收滤波器层过滤后的光且响应于接收到的光产生电荷，其中，滤波器层包括形成在滤波器层中的多个通孔，并且多个通孔的通孔的横断面形状在偏振方向上延伸的量大于在与偏振方向垂直的方向上延伸的量。
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公开(公告)号：CN110050346B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201780075675.4
申请日：2017-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 杉崎太郎
摘要： 本发明的技术涉及能够选择性地仅获取特定电磁波波长并生成具有改进的波长分辨率的信号的成像器件和电子设备。本技术包括：第一像素，其配置有允许第一频段的光透过的金属薄膜滤波器；和第二像素，其配置有允许比第一频段宽的第二频段的光透过的滤色器。从多个第一像素的信号生成第三频段的信号，多个像素配置有允许不同的第一频段的光透过的金属薄膜滤波器。例如，本技术能够应用于背面照射型或表面照射型CMOS图像传感器。
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