公开(公告)号：CN110419163B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880017732.8

申请日：2018-01-31

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 野口贤治 ,  鲤森俊行 ,  永野弘明 ,  上村正哉 ,  中山恵

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03K17/10

摘要： [问题]提供一种半导体装置，利用该半导体装置可以在使芯片面积最小化的同时改善耐压。[解决方案]提供了一种半导体装置，配备有：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出高频信号；第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件，串联电连接在第一端子与第二端子之间；第一电容器，设置在第一开关元件与第二开关元件之间的第一节点与第一端子之间；以及第二电容器，设置在第二开关元件与第三开关元件之间的第二节点与第一端子之间。第一电容器的电容大于第二电容器的电容。

公开(公告)号：CN110419163A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017732.8

申请日：2018-01-31

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 野口贤治 ,  鲤森俊行 ,  永野弘明 ,  上村正哉 ,  中山恵

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03K17/10

摘要： [问题]提供一种半导体装置，利用该半导体装置可以在使芯片面积最小化的同时改善耐压。[解决方案]提供了一种半导体装置，配备有：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出高频信号；第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件，串联电连接在第一端子与第二端子之间；第一电容器，设置在第一开关元件与第二开关元件之间的第一节点与第一端子之间；以及第二电容器，设置在第二开关元件与第三开关元件之间的第二节点与第一端子之间。第一电容器的电容大于第二电容器的电容。