公开(公告)号：CN101228472B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680026536.4

申请日：2006-07-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 两角武 ,  高桥贤一 ,  内藤宏树

IPC: G02B27/22

CPC classification number: G02B27/2214 ,  G02B3/14 ,  G02B26/005 ,  G02B27/225 ,  H04N13/305

Abstract: 提供能够产生多个视差而不降低分辨率或图像质量的显示装置、显示控制方法和程序。光源(140)具有数值孔径1/N。将液体透镜(124-1)和液体透镜(124-2)布置成距离光源(140)液体透镜(124-1)和液体透镜(124-2)的焦距那么远。位置控制单元将非极性液体的位置改变如液体透镜(124-1)和液体透镜(124-2)所示的每个发光像素的大小那么多，使得从发光像素(141到143)发射的光通过液体透镜(124-1)或液体透镜(124-2)，并且以如光(151)到光(156)所示的不同方向出来。本发明可以应用到视差图像显示装置。

公开(公告)号：CN101533885B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910127136.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内藤宏树 ,  奥山浩之 ,  琵琶刚志 ,  西中逸平

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  G02F1/35 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。

公开(公告)号：CN101228472A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026536.4

申请日：2006-07-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 两角武 ,  高桥贤一 ,  内藤宏树

IPC: G02B27/22

CPC classification number: G02B27/2214 ,  G02B3/14 ,  G02B26/005 ,  G02B27/225 ,  H04N13/305

Abstract: 提供能够产生多个视差而不降低分辨率或图像质量的显示装置、显示控制方法和程序。光源(140)具有数值孔径1/N。将液体透镜(124－1)和液体透镜(124－2)布置成距离光源(140)液体透镜(124－1)和液体透镜(124－2)的焦距那么远。位置控制单元将非极性液体的位置改变如液体透镜(124－1)和液体透镜(124－2)所示的每个发光像素的大小那么多，使得从发光像素(141到143)发射的光通过液体透镜(124－1)或液体透镜(124－2)，并且以如光(151)到光(156)所示的不同方向出来。本发明可以应用到视差图像显示装置。

公开(公告)号：CN101562226B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910134437.3

申请日：2009-04-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西中逸平 ,  琵琶刚志 ,  内藤宏树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/06 ,  H01S5/042 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L33/06 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。

公开(公告)号：CN101562226A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910134437.3

申请日：2009-04-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西中逸平 ,  琵琶刚志 ,  内藤宏树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/06 ,  H01S5/042 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L33/06 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。

公开(公告)号：CN101533885A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127136.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内藤宏树 ,  奥山浩之 ,  琵琶刚志 ,  西中逸平

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  G02F1/35 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。