公开(公告)号：CN103594526B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210597892.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/0203

Abstract: 本发明公开的半导体装置包括：基板，在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域，所述配线层位于所述光接收区域的周围，所述电极焊盘位于所述配线层上；在所述基板的上表面上形成的树脂层，所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽，并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上，且所述树脂层具有耐热和遮光能力，其中，在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN103594526A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210597892.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/0203

Abstract: 本发明公开的半导体装置包括：基板，在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域，所述配线层位于所述光接收区域的周围，所述电极焊盘位于所述配线层上；在所述基板的上表面上形成的树脂层，所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽，并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上，且所述树脂层具有耐热和遮光能力，其中，在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN101546793B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910132306.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法，该半导体装置制造方法包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层，所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中，能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN101546793A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910132306.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法，该半导体装置制造方法包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层，所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中，能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。