公开(公告)号：CN101764138B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910266364.3

申请日：2009-12-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 汤元博志 ,  米田修二 ,  向井友和 ,  竹内克彦

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13 ,  H01L27/1463 ,  H01L31/035272 ,  H03F3/087

Abstract: 本发明提供设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置。该半导体装置包括：P型半导体基板；在P型半导体基板上形成的第一P型半导体层；在第一P型半导体层上形成并且具有比第一P型半导体层低的P型杂质浓度的第二P型半导体层；在第二P型半导体层上形成的将要形成阴极区域的N型半导体层；通过在第二P型半导体层的部分区域中扩散P型杂质而形成的第一P型扩散层；第二P型扩散层，在邻近第一P型扩散层的下方，在第二P型半导体层中扩散P型杂质形成，并且具有比第一P型扩散层低的P型杂质浓度；以及以将N型半导体层和第一P型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。

公开(公告)号：CN101764138A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266364.3

申请日：2009-12-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 汤元博志 ,  米田修二 ,  向井友和 ,  竹内克彦

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13 ,  H01L27/1463 ,  H01L31/035272 ,  H03F3/087

Abstract: 本发明提供设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置。该半导体装置包括：P型半导体基板；在P型半导体基板上形成的第一P型半导体层；在第一P型半导体层上形成并且具有比第一P型半导体层低的P型杂质浓度的第二P型半导体层；在第二P型半导体层上形成的将要形成阴极区域的N型半导体层；通过在第二P型半导体层的部分区域中扩散P型杂质而形成的第一P型扩散层；第二P型扩散层，在邻近第一P型扩散层的下方，在第二P型半导体层中扩散P型杂质形成，并且具有比第一P型扩散层低的P型杂质浓度；以及以将N型半导体层和第一P型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。