公开(公告)号：CN1151575A

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN96110130.X

申请日：1996-06-28

申请人： 索尼株式会社

发明人： 紫田拓二 ,  管野佳弘 ,  本田忠行 ,  高田昭夫 ,  今藤由喜雄 ,  铃木忠男

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3903 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3941 ,  G11B5/3945 ,  Y10T29/49032

摘要： 公开了一种通过磁阻效应探测再生信号的磁阻效应类型薄膜磁头，这种磁头适于通用磁阻效应来探测再生信号。薄膜磁头包括一双层磁阻效应单元，这个磁阻效应单元由第一磁阻效应膜和第二与第一膜宽度相同磁阻效应膜构成，且中间有一层非磁性绝缘膜。由于在第一和第二MR膜之间产生了磁静态耦合，第一和第二MR膜之间的磁场稳定，其影响播放输出的薄膜厚度可以象只有一单层MR膜构成的单层磁头那样得到减小，从而得到了高的播放输出。