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发明公开
一种半导体器件及其制备方法、电子装置审中-实审

公开(公告)号：CN117524988A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311409085.4

申请日：2023-10-27

申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

发明人： 王聪 , 宋健 , 戚蓥梦

IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/06

摘要： 一种半导体器件及其制备方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底至少包括第一区域与第二区域；在第一区域的表面上形成第一预设厚度的第一栅介质层，在第二区域的表面上形成第二预设厚度的第二栅介质层；在第一栅介质层上形成第一栅极层，在第二栅介质层上形成第二栅极层；对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入；刻蚀露出的第一栅介质层与第二栅介质层，以完全去除露出的第二栅介质层。本发明的方案通过先对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入，以改变二者的表面的致密度，使得后续在刻蚀过程中的纵向刻蚀速率增大，减小了刻蚀时间，进而降低了横向的刻蚀量，避免了产生脱落与漏电等风险，提高了器件的可靠性与产品良率。