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公开(公告)号：CN102530953A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110257971.0
申请日：2011-09-02
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B3/506 , C23C16/24 , C23C16/4402 , C23C16/4418 , C23C16/45593
Abstract: 本发明涉及完全利用供料气和全再循环CVD-西门子甲硅烷反应器法，用于基于甲硅烷(SiH4)的化学气相沉积(CVD)多晶硅的CVD的甲硅烷和氢再循环方法/系统。具体地，本发明涉及经由气态硅烷前体的分解生产多晶硅块材料的基本上完全硅烷利用和无未(从反应器)转化的污染的硅烷和氢完全再循环方法。
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公开(公告)号：CN101811700A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010101067.6
申请日：2010-01-26
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10705
Abstract: 一种从含氟进料生产四氟化硅的方法。所述方法在使含氟进料与含硅进料的混合物与硫酸反应以生产四氟化硅之前，煅烧含氟进料和含硅进料。用硫酸洗涤所述四氟化硅。过量的硫酸被再循环到所述方法。所述方法展示了一种生产高质量四氟化硅的经济且环境友好的途径。
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公开(公告)号：CN101811700B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010101067.6
申请日：2010-01-26
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10705
Abstract: 一种从含氟进料生产四氟化硅的方法。所述方法在使含氟进料与含硅进料的混合物与硫酸反应以生产四氟化硅之前，煅烧含氟进料和含硅进料。用硫酸洗涤所述四氟化硅。过量的硫酸被再循环到所述方法。所述方法展示了一种生产高质量四氟化硅的经济且环境友好的途径。
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公开(公告)号：CN102140678A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010593610.9
申请日：2010-12-17
IPC: C30B25/00 , C30B29/06 , C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/45517 , C23C16/45563
Abstract: 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统。本发明的方法包括提供硅棒生产装置，包括包含带夹套反应室的反应器容器，其中预加热流体在夹套中被循环，一个或更多个延伸到反应室的电极组件，每个电极组件包括气体进口、一个或更多个传热流体进口/出口和至少一对硅丝，连接到反应器容器内部的带硅气体的源，连接到反应室的传热系统以及电源；通过在传热系统中循环传热流体，预加热反应室到硅丝变得更导电的一温度；加热硅丝到硅沉积温度；将带硅气体切向地注入气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙；分解至少部分的带硅气体以形成硅；均匀地将硅沉积在硅丝上以生产多晶硅棒。通过该气体分配机制生产均匀的多晶硅棒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102140678B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201010593610.9
申请日：2010-12-17
IPC: C30B25/00 , C30B29/06 , C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/45517 , C23C16/45563
Abstract: 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统。本发明的方法包括提供硅棒生产装置，包括包含带夹套反应室的反应器容器，其中预加热流体在夹套中被循环，一个或更多个延伸到反应室的电极组件，每个电极组件包括气体进口、一个或更多个传热流体进口/出口和至少一对硅丝，连接到反应器容器内部的带硅气体的源，连接到反应室的传热系统以及电源；通过在传热系统中循环传热流体，预加热反应室到硅丝变得更导电的一温度；加热硅丝到硅沉积温度；将带硅气体切向地注入气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙；分解至少部分的带硅气体以形成硅；均匀地将硅沉积在硅丝上以生产多晶硅棒。通过该气体分配机制生产均匀的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN101993100A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250654.1
申请日：2010-08-11
CPC classification number: C01F7/32 , C01B17/745 , C01D5/00 , C01F11/04 , Y02P20/129
Abstract: 本发明的实施方案提供一种用于从在四氟化硅生产过程中产生的副产物组合物回收有用化合物的系统和方法。
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公开(公告)号：CN102167326B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110045925.4
申请日：2011-02-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C01B33/035
CPC classification number: C23C16/4402 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4412 , Y02P20/132
Abstract: 提供用于与化学气相沉积(CVD)西门子型方法一起使用的氢再循环方法与系统。所述方法的结果是基本上完全的或完全的氢利用，以及基本上无污染的或无污染的氢。
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公开(公告)号：CN101993100B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010250654.1
申请日：2010-08-11
CPC classification number: C01F7/32 , C01B17/745 , C01D5/00 , C01F11/04 , Y02P20/129
Abstract: 本发明的实施方案提供一种用于从在四氟化硅生产过程中产生的副产物组合物回收有用化合物的系统和方法。
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公开(公告)号：CN102167326A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110045925.4
申请日：2011-02-25
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/4402 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4412 , Y02P20/132
Abstract: 提供用于与化学气相沉积(CVD)西门子型方法一起使用的氢再循环方法与系统。所述方法的结果是基本上完全的或完全的氢利用，以及基本上无污染的或无污染的氢。
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