公开(公告)号：CN102015523A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114990.9

申请日：2009-03-13

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  M·斯图姆贝尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00666 ,  H01H59/0009

Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。

公开(公告)号：CN102015523B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200980114990.9

申请日：2009-03-13

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  M·斯图姆贝尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00666 ,  H01H59/0009

Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。

公开(公告)号：CN102050421B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。

公开(公告)号：CN102050421A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。