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发明公开
石墨烯的制造方法

公开(公告)号：CN118922380A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029753.2

申请日：2023-03-10

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 佐藤京树

IPC分类号： C01B32/184

摘要： 一种石墨烯的制造方法，其中，在碳基座上载置半导体基板，在碳基座或半导体基板的上方载置供给部件，通过第一加热源和第二加热源中的至少一者来对供给部件和碳基座进行加热，通过碳基座的加热来对半导体基板进行加热，在半导体基板上形成一层或多层石墨烯层。