高频磁性膜、其制造方法及用途

    公开(公告)号:CN112868074B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN201980069446.0

    申请日:2019-11-07

    申请人: 罗杰斯公司

    IPC分类号: H01F10/14 H01F41/18

    摘要: 多层膜(10)包括:基底(12);设置在基底上的第一磁性层(14)以及设置在第一磁性层(14)上的第二磁性层(16)。第一磁性层(14)包含Fe(50‑80)N(10‑20)B(1‑20)M(0‑10),其中M为Si、Ta、Zr、Ti、Co、或其组合。第二磁性层(16)包含Fe(50‑90)N(10‑50)或Fe(60‑90)N(1‑10)Ta(5‑30)。在50MHz至10GHz的频率范围,多层磁性膜(10):在该频率范围内的选定频带上具有大于或等于1800的磁导率;在该频率范围内的选定频带上具有小于或等于0.3的磁损耗角正切;以及具有大于或等于1GHz、或者大于或等于2GHz的截止频率。

    高频磁性膜、其制造方法及用途

    公开(公告)号:CN112868074A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201980069446.0

    申请日:2019-11-07

    申请人: 罗杰斯公司

    IPC分类号: H01F10/14 H01F41/18

    摘要: 多层膜(10)包括:基底(12);设置在基底上的第一磁性层(14)以及设置在第一磁性层(14)上的第二磁性层(16)。第一磁性层(14)包含Fe(50‑80)N(10‑20)B(1‑20)M(0‑10),其中M为Si、Ta、Zr、Ti、Co、或其组合。第二磁性层(16)包含Fe(50‑90)N(10‑50)或Fe(60‑90)N(1‑10)Ta(5‑30)。在50MHz至10GHz的频率范围,多层磁性膜(10):在该频率范围内的选定频带上具有大于或等于1800的磁导率;在该频率范围内的选定频带上具有小于或等于0.3的磁损耗角正切;以及具有大于或等于1GHz、或者大于或等于2GHz的截止频率。