半导体元件封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113130413B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN201911393396.X

    申请日:2019-12-30

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明公开一种半导体元件封装结构及其制造方法,其中该半导体元件封装结构包括基板。基板有电路结构形成在芯片区域,其中所述芯片区域是由在所述基板上规划的多个切割线所定义。封闭圈设置在所述基板中,位于所述芯片区域的周围区域,围绕所述电路结构的至少一部分。沟槽圈设置在所述基板中,且位于所述封闭圈与所述多个切割线之间。封装保护盖层覆盖过所述电路结构以及所述封闭圈,且至少覆盖在所述沟槽圈。

    半导体元件封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113130413A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201911393396.X

    申请日:2019-12-30

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明公开一种半导体元件封装结构及其制造方法,其中该半导体元件封装结构包括基板。基板有电路结构形成在芯片区域,其中所述芯片区域是由在所述基板上规划的多个切割线所定义。封闭圈设置在所述基板中,位于所述芯片区域的周围区域,围绕所述电路结构的至少一部分。沟槽圈设置在所述基板中,且位于所述封闭圈与所述多个切割线之间。封装保护盖层覆盖过所述电路结构以及所述封闭圈,且至少覆盖在所述沟槽圈。